单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用焦炭在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450500 ),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。

 

相关信息如下:

a四氯化硅遇水极易水解;

b硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物;

c有关物质的物理常数见下表:

物 质

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸点/

57.7

12.8

315

熔点/

70.0

107.2

升华温度/

180

300

162

 

请回答下列问题:

(1)写出装置A中发生反应的离子方程式 ____________________________

(2)装置Ag管的作用是________;装置C中的试剂是________;装置E中的h瓶需要冷却的理由是________________________________________

(3)装置Eh瓶收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的杂质元素是________(填写元素符号)

(4)为了分析残留物中铁元素的含量,先将残留物预处理,使铁元素还原成Fe2,再用KMnO4标准溶液在酸性条件下进行氧化还原滴定,反应的离子方程式是:5Fe2MnO48H=5Fe3Mn24H2O

滴定前是否要滴加指示剂?________(”),请说明理由______________________

某同学称取5.000 g残留物,经预处理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00 mL试样溶液,用1.000×102 mol·L1 KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时,消耗标准溶液20.00 mL,则残留物中铁元素的质量分数是________

 

 0  111160  111168  111174  111178  111184  111186  111190  111196  111198  111204  111210  111214  111216  111220  111226  111228  111234  111238  111240  111244  111246  111250  111252  111254  111255  111256  111258  111259  111260  111262  111264  111268  111270  111274  111276  111280  111286  111288  111294  111298  111300  111304  111310  111316  111318  111324  111328  111330  111336  111340  111346  111354  203614 

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