题目内容

19.下列元素中,属于短周期ⅦA族的是(  )
A.BeB.FC.BrD.I

分析 短周期为一、二、三周期,电子层不能超过3个层,最外层电子数为7,则位于ⅦA族,以此来解答.

解答 解:A.Be最外层2个电子,为第二周期ⅡA元素,故A不选;
B.F为第二周期ⅦA族,故B选;
C.Br为第四周期ⅦA族,故C不选;
D.I为第五周期ⅦA族,故D不选;
故选B.

点评 本题考查元素周期表的结构及应用,为高频考点,把握原子结构与元素位置的关系、短周期为解答的关键,侧重分析与应用能力的考查,题目难度不大.

练习册系列答案
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14.晶体硅是信息科学和能源科学中的一种重要材料,可用于制芯片和太阳能电池等,.以下是工业上制取纯硅的一种方法.

已知:在一定条件下可发生反应:Si(s)+3HCl(g)?SiHCl3(g)+H2(g)△H<0
I.反应②、③均需要加热,有如下两个温度区间分别供两反应选择,你认为反应②应选择a
(填序号字母),原因是因反应Si(s)+3HCl(g)?SiHCl3(g)+H2(g)△H<0,温度较低时反应向正向进行程度较大,有利于SiHCl3的生成;
a.520~530K           b.1350~1360K
II.现在实验室模拟工业上粗硅提纯的过程,已知SiHCl3遇水强烈水解,其他相关数据如下表所示:
物质SiCl4SiHCl3AlCl3FeCl3
沸点/℃57.733.0-315
升华温度/℃--180300
(1)现用如图1装置进行模拟反应②的过程.实验室制HCl的反应原理为:
2NaCl(s)+H2SO4(浓)$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$ 2HCl↑+Na2SO4

如图2A中是HCl的发生装置,你认为应选择下列哪套装置?d(填装置的序号字母),装置D中碱石灰的作用为吸收剩余HCl、防止空气中的水蒸气进入C装置造成SiHCl3的水解;
(2)已知液态粗品SiHCl3中含有杂质SiCl4、AlCl3、FeCl3等,则流程中操作①为分馏(填操作名称),下列不是该操作所需的仪器是bd(填装置序号字母);
a.冷凝管    b.圆底烧瓶  c.蒸馏烧瓶  d.分液漏斗   e.温度计  f.接受器
(3)用SiHCl3与H2反应制备纯硅的装置如土3
①按图示组装好仪器后,下列实验步骤的正确顺序为dbacef(填步骤的序号字母),
a.打开甲装置分液漏斗旋塞,滴加稀硫酸,反应生成H2
b.向装置中添加药品;
c.打开丙装置分液漏斗的旋塞,滴加SiHCl3,并加热相应装置;
d.检查装置气密性;
e.停止向丙装置滴加SiHCl3,并停止加热相应装置;
f.停止通H2
步骤c中需要加热的装置为丙、丁(填装置序号“甲”、“乙”、“丙”、“丁”)
②该套装置的设计缺陷是无尾气处理装置.
4.利用废铝箔(主要成分为Al、少量的Fe、Si等)既可制取有机合成催化剂AlBr3又可制取净水剂硫酸铝晶体[A12(SO43•18H2O].
实验室制取无色的无水AlBr3(熔点:97.5℃,沸点:263.3~265℃)可用如图所示装置,主要实验步骤如下:
步骤l:将铝箔剪碎,用CCl4浸泡片刻,干燥,然后投入到烧瓶6中.
步骤2:从导管口7导入氮气,同时打开导管口l和4放空,一段时间后关闭导管口7和1;导管口4接装有P2O5的干燥管.
步骤3:从滴液漏斗滴入一定量的液溴于烧瓶6中,并保证烧瓶6中铝过剩.
步骤4:加热烧瓶6,回流一定时间.
步骤5:将氮气的流动方向改为从导管口4到导管口l.将装有P2O5的干燥管与导管口1连接,将烧瓶6加热至270℃左右,使溴化铝蒸馏进入收集器2.
步骤6:蒸馏完毕时,在继续通入氮气的情况下,将收集器2从3处拆下,并立即封闭3处.
(1)步骤l中,铝箔用CCl4浸泡的目的是除去铝箔表面的油脂等有机物
(2)步骤2操作中,通氮气的目的是排出装置中含有水蒸气的空气
(3)步骤3中,该实验要保证烧瓶中铝箔过剩,其目的是保证溴完全反应,防止溴过量混入溴化铝中
(4)步骤4依据何种现象判断可以停止回流操作当5的管中回流液呈无色或烧瓶6中物质呈无色
(5)步骤5需打开导管口l和4,并从4通入N2的目的是将溴化铝蒸汽导入装置2中并冷凝得到溴化铝.

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