题目内容
(1)写出As在周期表中的位置_____________,其价电子的电子排布式为____________________ ;
(2)Ge与As,哪种元素的第一电离能大?________原因是______________________;
(3)AlCl3是化工生产中常用的催化剂,熔点为192.6℃,熔融状态是通过配位键形成二聚体Al2Cl6 ,请画出Al2Cl6结构图示______________________;
(4)超高导热绝缘材料纳密氮化铝(AlN)在绝缘材料中应用广泛,其晶体结构与金刚石类似。则每个Al原子与______个N原子相连,与同一个Al原子相连的N原子构成的空间构型为________。氮化铝(AlN)与金刚砂(SiN)相比,晶体溶沸点较高的是____________,原因是____________________________。
(5)液态SiCl4常用作烟雾剂,原因是Si的3d空轨道能与水配位而剧烈水解,在潮湿的空气中发烟,试用化学方程式表示其发烟原理________________________。
(2)As;As的4p能级处于半充满的较稳定状态,比较难失去电子,故第一电离能较大
(3)
(4)4;正四面体;AlN;两者形成的晶体都是原子晶体,但AlN的键长较短,共价键较牢固,晶体的熔沸点较高
(5)SiCl4 +3H2O = H2SiO3 + 4HCl↑
下列表述Ⅰ和Ⅱ都正确,且存在因果关系的是 ( )
| 表述Ⅰ(因) | 表述Ⅱ(果) | |
| A | Si和Ge同主族且位于金属和非金属交界线两侧 | Si为非金属元素,其单质是半导体;Ge为金属元素,其单质是导体 |
| B | “硅胶”是硅酸钠的冻状凝胶经脱水后得到的,多孔、吸附水分能力强 | 硅胶常用作实验室和袋装食品、瓶装药品等的干燥剂 |
| C | 打磨过的铝箔在空气中其表面会很快生成Al2O3薄膜,而且Al2O3的熔点高于Al | 打磨过的铝箔在空气中燃烧会失去光泽但熔化的铝并不滴落 |
| D | Fe2O3难溶于水 | Fe(OH)3不能通过化合反应直接制得 |
下列表述Ⅰ和Ⅱ都正确,且存在因果关系的是
|
|
表述Ⅰ(因) |
表述Ⅱ(果) |
|
A |
Si和Ge同主族且位于金属和非金属交界线两侧 |
Si为非金属元素,其单质是半导体;Ge为金属元素,其单质是导体 |
|
B |
“硅胶”是硅酸钠的冻状凝胶经脱水后得到的,多孔、吸附水分能力强 |
硅胶常用作实验室和袋装食品、瓶装药品等的干燥剂 |
|
C |
打磨过的铝箔在空气中其表面会很快生成Al2O3薄膜,而且Al2O3的熔点高于Al |
打磨过的铝箔在空气中燃烧会失去光泽但熔化的铝并不滴落 |
|
D |
Fe2O3难溶于水 |
Fe(OH)3不能通过化合反应直接制得 |
请回答下列问题:
(1)N、Al、Si、Zn四种元素中,有一种元素的电离能数据如下:
| 电离能 I1 I2 I3 I4 … |
| In/kJ.mol-1 578 1817 2745 11578 … |
(2)基态锗(Ge)原子的电子排布式是______.Ge的最高价氯化物分子式是______.该元素可能的性质或应用有______.
A.是一种活泼的金属元素 B.其电负性大于硫 C.其单质可作为半导体材料 D.其最高价氯化物的沸点低于其溴化物的沸点
(3)关于化合物
A.分子间可形成氢键 B.分子中既有极性键又有非极性键 C.分子中有7个σ键和1个π键 D.该分子在水中的溶解度大于2-丁烯
(4)NaF的熔点______
下列表述Ⅰ和Ⅱ都正确,且存在因果关系的是
|
| 表述Ⅰ(因) | 表述Ⅱ(果) |
| A | Si和Ge同主族且位于金属和非金属交界线两侧 | Si为非金属元素,其单质是半导体;Ge为金属元素,其单质是导体 |
| B | “硅胶”是硅酸钠的冻状凝胶经脱水后得到的,多孔、吸附水分能力强 | 硅胶常用作实验室和袋装食品、瓶装药品等的干燥剂 |
| C | 打磨过的铝箔在空气中其表面会很快生成Al2O3薄膜,而且Al2O3的熔点高于Al | 打磨过的铝箔在空气中燃烧会失去光泽但熔化的铝并不滴落 |
| D | Fe2O3难溶于水 | Fe(OH)3不能通过化合反应直接制得 |