题目内容
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解析:
(2) |
(CH3)3Ga+AsH3 |
(3) |
1s22s22p63s23p63d104s24p1 |
(4) |
NH3分子间存在氢键,分子间作用力大于AsH3,熔点高于AsH3 |
砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转变为光能,砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措,已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题
(1)下列说法正确的是 (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到, 该反应在700℃进行,反应的方程式为: 。
AsH3空间形状为: (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为: 。
(3)Ga的核外电子排布式为: 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: 。