题目内容
开发太阳能资源是当前科技研发的热点.
(1)某太阳能吸热涂层以镍或镍合金空心球为吸收剂,基态镍原子M层上的未成对电子数为 .
(2)有机太阳能固体电池材料含有高纯度C60,其结构如图1,则1mol C60分子中π键的数目为 .
(3)硅太阳能电池中有一种金属镁酞菁配合物,结构如下图2.该结构中,碳氮之间的共价键类型有 (按原子轨道重叠方式填写共价键的类型),请在下图2中用箭头表示出配位键.

(4)多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
①第一电离能:As Se(填“>”、“<”或“=”).
②硫化锌的晶胞中(结构如图3所示),硫离子的配位数是 .
(5)已知过氧化氢分子的空间结构如图4所示,分子中氧原子采取 杂化;通常情况下,H2O2与水任意比互溶的主要原因是 .
(1)某太阳能吸热涂层以镍或镍合金空心球为吸收剂,基态镍原子M层上的未成对电子数为
(2)有机太阳能固体电池材料含有高纯度C60,其结构如图1,则1mol C60分子中π键的数目为
(3)硅太阳能电池中有一种金属镁酞菁配合物,结构如下图2.该结构中,碳氮之间的共价键类型有
(4)多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
①第一电离能:As
②硫化锌的晶胞中(结构如图3所示),硫离子的配位数是
(5)已知过氧化氢分子的空间结构如图4所示,分子中氧原子采取
分析:(1)根据能量最低原理和洪特规则书写电子排布式,然后确定M层上的未成对电子数;
(2)利用均摊法计算每个碳原子含有几个σ键,从而计算1mol C60分子中π键的数目;
(3)根据双键是由一个σ键和一个π键构成;根据N原子提供孤电子对,与镁形成配位键;
(4)①同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而增大,但第VA族元素第一电离能大于第VIA元素;
②根据图片以及配位数的概念确定其配位数;
(5)由H2O2的结构可知,O原子形成1个O-H键、1个O-O键,含有2对孤对电子,杂化轨道数为4,据此判断杂化方式;H2O2中氧元素的电负性很强,H2O2分子H2O分子之间形成氢键,使H2O2与水任意比互溶;
(2)利用均摊法计算每个碳原子含有几个σ键,从而计算1mol C60分子中π键的数目;
(3)根据双键是由一个σ键和一个π键构成;根据N原子提供孤电子对,与镁形成配位键;
(4)①同一周期元素的第一电离能随着原子序数的增大而增大,但第VA族元素第一电离能大于第VIA元素;
②根据图片以及配位数的概念确定其配位数;
(5)由H2O2的结构可知,O原子形成1个O-H键、1个O-O键,含有2对孤对电子,杂化轨道数为4,据此判断杂化方式;H2O2中氧元素的电负性很强,H2O2分子H2O分子之间形成氢键,使H2O2与水任意比互溶;
解答:解:(1)Ni的原子序数为28,根据能量最低原理可写出电子排布式为1S22S22P63S23P63d84s2,所以基态镍原子M层上的未成对电子数为2;
故答案为:2;
(2)每个碳原子含有的π键个数为
,所以1molC60分子中π键的数目为
×60×NA=30NA;
故答案为:30NA;
(3)双键是由一个σ键和一个π键构成,所以碳氮之间的共价键类型有σ键、π键;
金属镁酞菁配合物,Mg具有空轨道,N原子提供孤电子对,与镁形成配位键,如图所示:
故答案为:σ键、π键;
;
(4)①As和Se属于同一周期,且As属于第VA族,Se属于第VIA族,所以第一电离能As>Se,故答案为:>;
②由图片知,每个S离子连接4个Zn离子,所其配位数是4;
故答案为:4;
(5)由H2O2的结构可知,O原子形成1个O-H键、1个O-O键,含有2对孤对电子,杂化轨道数为4,杂化方式为sp3,H2O2中氧元素的电负性很强,H2O2分子H2O分子之间形成氢键,使H2O2与水任意比互溶,
故答案为:sp3;H2O2分子H2O分子之间形成氢键;
故答案为:2;
(2)每个碳原子含有的π键个数为
| 1 |
| 2 |
| 1 |
| 2 |
故答案为:30NA;
(3)双键是由一个σ键和一个π键构成,所以碳氮之间的共价键类型有σ键、π键;
金属镁酞菁配合物,Mg具有空轨道,N原子提供孤电子对,与镁形成配位键,如图所示:
故答案为:σ键、π键;
(4)①As和Se属于同一周期,且As属于第VA族,Se属于第VIA族,所以第一电离能As>Se,故答案为:>;
②由图片知,每个S离子连接4个Zn离子,所其配位数是4;
故答案为:4;
(5)由H2O2的结构可知,O原子形成1个O-H键、1个O-O键,含有2对孤对电子,杂化轨道数为4,杂化方式为sp3,H2O2中氧元素的电负性很强,H2O2分子H2O分子之间形成氢键,使H2O2与水任意比互溶,
故答案为:sp3;H2O2分子H2O分子之间形成氢键;
点评:本题考查较为综合,涉及电子排布式、化学计算、配合物知识以及化学键、氢键等,题目难度较大,本题易错点为(3),注意配位键的形成.
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