Question

（12分）第一电离能I₁是指气态原子X（g）处于基态时，失去一个电子成为气态阳离子X^＋（g）所需要的能量。下表是部分元素原子的第一电离能I₁：（单位）

H							He
1.3120							0.3723
Li	Be	B	C	N	O	F	Ne
0.5203	0.8995	0.8001	1.0864	1.4023	1.3140	1.6810	2.0807
Na	Mg	Al	Si	P	S	Cl	Ar
0.4958	0.7377	0.5776	0.7865	1.0118	0.9996	1.2511	1.5205
K	Ca	Ga	Ge	As	Se	Br	Kr
0.4189	0.5898	0.5788		0.9440	0.9409	1.1399	1.3507
Rb	Sr	In	Sn	Sb	Te	I	Xe
0.4030	0.5495	0.5583	0.7086	0.8316	0.8693	1.0084	1.1704
Cs	Ba	Tl	Pb	Bi	Po	At

回答下列问题：

（1）从表中数据可知，同一主族元素原子的第一电离能I₁变化规律是　　　　　　　　　　。说明同一主族元素　　　　　　　能力从上到下逐渐增强。

（2）从表中数据预测Ge元素第一电离能I₁的最小范围           。

（3）SiC是原子晶体，其结构类似金刚石，为C、Si两原子依次相同排列的正四面体空间网状结构。如图为两个中心重合，各面分别平行的两个正方体，其中心为Si原子，试在小正方体的顶点画出与Si最近的C（用表示）的位置，在大正方体的棱、顶、面等处画出相应Si（用表示）的位置。

 

Answer 1

【答案】

从上到下依次减小，失电子。  （2）0.7086—0.7865（3分）

（3）画对碳原子得1分，画对硅原子得2分。（共3分）

【解析】（1）从表中数据可知，同一主族元素原子的第一电离能I₁变化规律是从上到下依次减小，说明失电子的能力逐渐增强。

（2）同主族自上而下第一电离能逐渐减小，所以Ge的第一电离能大小范围是0.7086—0.7865。

（3）金刚石的中4个碳原子构成正四面体，所以小正方体中与Si最近的C原子位于四面体的4个顶点上，答案如图所示。