题目内容

近些年,半导体材料在电子领域发展迅速,科学家一般在分界线出寻找半导体材料,如硅、锗、砷及GaAs等化合物。回答下列问题:

(1)基态As原子的外围电子排布式为________,原子核外有______个未成对电子。

(2)实验测得镓的氯化物的熔沸点显著低于其对应化合价的氯化物,其原因可能是_________。

(3)Ge、Se、As位于周期表第四周期,其第一电离能由大到小的顺序为______。

(4)AsH3分子的立体构型为 ______,其中As的杂化轨道类型为______。

(5)碳和硅属于同主族元素,碳能形成多种氢化物,但硅的氢化物很少且不稳定,试从原子结构角度分析可能的原因__________。

(6)GaAs晶胞结构如图所示,若A的坐标参数为(0,0,0),B为(0,1/2,1/2)、C为(1,0,0)、则D的坐标参数为_______。已知GaAs的晶胞边长为apm,其密度为_____ g·cm-3(列出计算式即可)。

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