Question

11．晶体硅（熔点1 410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：Si（粗）$→_{460℃}^{Cl_{2}}$SiCl₄SiCl₄（纯）$→_{1100℃}^{H_{2}}$Si（纯）在上述由SiCl₄制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：SiCl₄（s）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ/mol．

Answer 1

分析 制纯硅的方程式为：SiCl₄+2H₂$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si+4HCl，每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量．

解答 解：制纯硅的方程式为：SiCl₄+2H₂$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si+4HCl，每生成1.12kg纯硅，即$\frac{1.12×1{0}^{3}g}{28g/mol}=40mol$Si时，反应吸收akJ能量，当生成1mol纯硅时，反应吸收$\frac{a}{40}=0.025akJ$能量，热化学方程式为：SiCl₄（s）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ/mol．故答案为：SiCl₄（s）+2H₂（g）$\frac{\underline{\;1100℃\;}}{．}$Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ/mol．

点评 本题考察热化学方程式的书写及焓变的计算，需要注明热化学方程式中物质的状态，题目难度不大，是基础题．