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化学键 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
键能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
请回答下列问题:
(1)比较下列两组物质的熔点高低(填“>”或“<”=):SiC_______Si;SiCl4_______SiO2。
(2)图1-1立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子。
图1-1
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键能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
工业上高纯硅可通过下列反应制取:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl (g)
该反应的反应热ΔH=______________kJ·mol -1
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键能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
请回答下列问题:
(1)比较下列两组物质的熔点高低(填“>”或“<”)
SiC_________Si;SiCl4_____________SiO2
(2)图3-9中立方体中心的“·”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“·”表示出与之紧邻的硅原子。
图3-9
(3)工业上高纯硅可通过下列反应制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
该反应的反应热ΔH_______=kJ·mol-1
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键能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
请回答下列问题:
(1)比较下列两组物质的熔点高低(填“>”或“<”=SiC______Si;SiCl4______SiO2。
(2)图中立方体中心的“”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“”表示出与之紧邻的硅原子。
(3)工业上高纯硅可通过下列反应制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g),该反应的反应热ΔH=______kJ·mol-1。
化学键 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
键能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
请完成下列问题:
(1)比较下列两组物质的熔点高低(填“>”或“<”)SiC_________Si;SiCl4_________SiO2。
(2)上图立方体中心的“”表示硅晶体中的一个原子,请在立方体的顶点用“”表示出与之紧邻的硅原子。
(3)工业上高纯硅可通过下列反应制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
该反应的反应热ΔH=_________kJ·mol-1。
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