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一、单选题(本题共5小题，每小题4分，共20分)．
题号
1
2
3
4
5
答案
D
A
D
C
B
二、多选题(本题共5小题，每小题4分，共20分．每小题有多个选项正确。全部选对的得4分，选不
全的得2分，有选错或不答的得0分．)．
题号
o
7
8
9
，lO
答案
CD
AD
AB
BCD
AD
三、实验题(本题共2小题，共20分)，
11．(1)O．700(0．70l也正确) (3分)
(2)如右图所示 (3分)
(3)B端 (2分)
12．(1) (5分)
(2)F与v成正比 (3分)
F与r成正比 (3分)
(3)F=kvr (1分)
13。(1)可发射6种频率的光子(3分)
(2) E=2．55eV (3分)
(3)E只大于铯的逸出功，故光子只有照射铯金属才能发生光电效应． (3分)
代人数据解得El萨0．65eV (4分)
14．(1) 0．5A (2) E=4．92J
15?(1)
(2) 2.0xlO3N
16．(1) F=5x10-2N （2）0.01J
17。(1)8R/3
（2）N＝17mg/4+
(3)若μ大于或等于3/4，则W=。若μ小于3/4，则W＝mgR
18(1)V0,方向向右
(2)3mv02/8
(3)4mv02/3
(4)4mv02/27
如图所示，有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度B=0.5T，两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框abcd由粗细均匀的电阻丝围成，总电阻R=0.4Ω。现使线框以v=2m/s的速度从位置I匀速运动到位置Ⅱ。
1.求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小．
2.求整个过程中线框所产生的焦耳热．
3.在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差Uab随时间t变化的图线．
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如图所示，有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度B=0.5T，两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框abcd由粗细均匀的电阻丝围成，总电阻R=0.4Ω。现使线框以v=2m/s的速度从位置I匀速运动到位置Ⅱ。
【小题1】求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小．
【小题2】求整个过程中线框所产生的焦耳热．
【小题3】在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差Uab随时间t变化的图线．
如图所示，有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度B=0.5T，两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框abcd由粗细均匀的电阻丝围成，总电阻R=0.4Ω。现使线框以v=2m/s的速度从位置I匀速运动到位置Ⅱ。
1.求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小．
2.求整个过程中线框所产生的焦耳热．
3.在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差Uab随时间t变化的图线．
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