摘要:下表是元素周期表的一部分.表中所列字母分别代表一种元素. a b c d e f g h i 回答下列问题: (1)以上指定元素形成的单质中.熔点最低的是 , (2)由a.c.d三种元素形成的化合物中.能促进水电离的是 (填其中一种物质的化学式).能抑制水电离的是 (填其中一种物质的化学式). (3)e元素位于周期表中第 周期 族,b.c.d.e.h元素的氢化物中.热稳定性最大的是 . (4)f.g元素的单质共5.0 g在100 mL水中完全反应.生成的溶液中只含有一种溶质分步写出发生反应的化学方程式: ① ② 所得溶液的物质的量浓度最大值为 .(液体的体积变化忽略不计)
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下表是元素周期表的一部分,圆圈中的数字是元素符号的代号,用代号填空。
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(1)族序数等于周期数的元素:____________________________________。
(2)周期数是族序数3倍的元素:____________________________________。
(3)单质是自然界中硬度最大的元素:____________________________________。
(4)气态氢化物最稳定的元素:____________________________________。
(5)最外层电子数与最内层电子数相等的元素:____________________________________。
(6)氧化物和氢氧化物具有两性的元素:____________________________________。
(7)单质在常温下与水反应能放出气体的元素:____________________________________。
(8)地壳中含量最多的元素:____________________________________。
(9)可用作半导体材料的元素:____________________________________。
(10)最高价氧化物对应水化物酸性最强的元素:____________________________________。
查看习题详情和答案>>如图是元素周期表的一部分,图中标示了短周期元素L、M、Q、R、T的位置,下列判断正确的是
[ ]
A.Q、T两元素的氢化物的稳定性为HnT<HnQ
B.L、R的单质与盐酸反应的速率为R>L
C.M与T形成的化合物有两性
D.L、Q形成的简单离子核外电子数相等
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B.L、R的单质与盐酸反应的速率为R>L
C.M与T形成的化合物有两性
D.L、Q形成的简单离子核外电子数相等
下表是元素周期表的一部分,有关说法正确的是( )
②h、i两种元素阴离子的还原性:h>i ③a、g两种元素氢化物的稳定性:a>g ④d、e、f三种元素最高价氧化物对应的水化物的碱性依次增强 ⑤八种元素中d元素的单质还原性最强,i元素的单质氧化性最强. |
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下表是元素周期表的一部分.表中所列的字母分别代表一种化学元素.

试回答下列问题:
(1)第三周期8种元素单质熔点高低顺序如图1,其中序号“8”代表
(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体,晶型与晶体j相同.两者相比熔点更高的是
(3)元素c的一种氧化物与元素d的一种氧化物互为等电子体,元素c的氧化物分子式是
(4)i单质晶体中原子的堆积方式如图2甲所示(面心立体最密堆积),其晶胞特征如图2乙所示.则晶胞中i原子的配位数为
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| a | |||||||||||||||||
| b | c | d | e | f | |||||||||||||
| g | h | i | j | k | l | m | |||||||||||
| n | o |
试回答下列问题:
(1)第三周期8种元素单质熔点高低顺序如图1,其中序号“8”代表
Si
Si
(填元素符号);(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体,晶型与晶体j相同.两者相比熔点更高的是
SiC
SiC
(填化学式),试从结构角度加以解释:因SiC晶体与Si晶体都是原子晶体,由于C的原子半径小,SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键长短,键能大,因而熔沸点高
因SiC晶体与Si晶体都是原子晶体,由于C的原子半径小,SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键长短,键能大,因而熔沸点高
.(3)元素c的一种氧化物与元素d的一种氧化物互为等电子体,元素c的氧化物分子式是
CO2
CO2
,该分子是由极性
极性
键构成的非极性
非极性
分子(填“极性”或“非极性”);元素d的氧化物的分子式是N2O
N2O
.(4)i单质晶体中原子的堆积方式如图2甲所示(面心立体最密堆积),其晶胞特征如图2乙所示.则晶胞中i原子的配位数为
12
12
,一个晶胞中i原子的数目为4
4
;晶胞中存在两种空隙,分别是正四面体空隙
正四面体空隙
、正八面体空隙
正八面体空隙
.