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（16分）某离子化合物X由一种有机阳离子和一种无机阴离子组成；元素分析得到H：5.33%、C：21.17%、N：6.17%、S：35.33%、Ge：32.00%；该阳离子和阴离子都具有正四面体型的空间对称性。
1．确定X的组成式（阴阳离子分开写）；
2．画出阴离子的空间构型；
一定条件下X能与HgI2反应，通过自组装合成了微孔硫化物Y；Y的阴离子是通过X的阴离子和HgS4变形四面体共用S形成的无限网状结构。
3．写出合成Y的反应方程式；
4．2,3－二巯基丙醇在合成Y中是不可缺少的，其可能作用是什么？
5．Y的阴离子是通过1个X中的阴离子和几个（2、3、4）Hg相连的，说明理由；
衍射法测得该晶体Y属于四方晶系，晶胞参数a＝0.9269nm，c＝1.4374nm，Z＝2。
6．计算晶体Y的密度。
对样品进行了DSC－TG研究，在320℃附近有一个强的吸热峰，详见右图。
7．试确定残留物中的主要成分是什么？
查看习题详情和答案>>⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于 ▲ 晶体。
⑵O%铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于 ▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
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（10分）
由短周期元素组成的单质A、B、C和甲、乙、丙、丁四种化合物有下图所示的转换关系，已知C为密度最小的气体，甲是电解质。
根据图示转化关系回答：
（1）写出下列物质的化学式：B 、丙 、丁 。
（2）组成单质A的元素在周期表中的位置是 。
（3）乙与过量CO2反应的离子方程式____________________________。
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（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于 ▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
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