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选择题:共21小题.每小题6分。共126分。
一、选择题:选对的给6分.选错或未选的给0分。
1.A 2.D 3.B 4.C 5.D 6.C 7.B 8.A 9.D 10.A
11.B 12.C 13.B
二、选择题(本题包括8小题、共48分。每小题给出的四个选项中,有的只有一个选项正
确.有的有多个选项正确.全部选对的得6分.选对但不全的得3分.有选错的得0分)
14.A 15.D 16.B 17.A 18.BC 19.D 20.BC 21.C
非选择题(共174分)
22.实验题(本题共2小题,共18分.把答案填在题中的横线上或按要求作图)
I.①游标卡尺的读数为12.30mm(2分),被测圆形工件的直径为24.60mm.(2分)
解:如图所示,=R/d=tan63°26′06″=2.000,
∴R=2d=AB,20分度游标卡尺的读数等于AB间距离为12.30mm,
∴被测圆形工件的直径为24.60mm.
②4.600(3分)
Ⅱ.①(4分)
②(4分)
③“等于”(3分)
设电压表内阻为,先闭合S1,断开S2,
;再保持不变,闭合S2,
计算题(共54分)解答时应写出必要的文宇说明、方程式和重要的演算步骤.只写出最后答案的不能得分。有数值计算的题。答案中必须明确写出数值和单位。
23.(16分)解:设两球碰撞后,球的速度分别为、
由动量守恒定律得: ①(4分)
设B球在最高点的速度为,由牛顿第二定律得: ②(4分)
碰后B球运动到F点的过程中,由动能定理得: ③(4分)
②代人③得:3 m/s (2分)
代入①可得:一1m/s (1分)
方向水平向左 (1分)
24.(18分)解:(1)设水平拉力为F,对框架、cd棒受力分析,
当框架匀速运动时,对框架有:F=+F安(2分)
对棒有2mg=+ F安(3分)
当框架刚开始运动时,对框架由牛顿第二定律得:
F一mg=Ma(3分)
解出a= (2分)
(2)设框架做匀速运动的速度大小为,则感应电动势E=BL (2分)
回路中的电流:I= (2分)
对框架由力的平衡得:F=BIL+mg (2分)
联立以上各式解出: (2分)
25.(20分)解:(1)粒子经过电场加速后,设进入磁场的速度为
(3分)
得: (1分)
粒子在磁场中做圆周运动,设半径为r, (3分)
得:r=2R (1分)
设粒子运动的圆心为点E,圆心角为2; (2分);
∠CGF=2,FC=(4R一R)tan2=3R× (3 分);
故F点坐标为(4R;4R)
(2)当圆形磁场整体转动时,粒子做圆周运动的圆心和轨迹都
不变。当磁场区将粒子的轨迹覆盖最长时,即粒子在磁场中
的圆弧轨迹对应的弦长等于磁场的直径2R,此时粒子的出
射速度与x轴的偏角最大,粒子打在光屏上的点距C点最远
。(3分)(若论证不充分,只要图中画出圆形磁场的直径是粒
子轨迹的弦,同样得分。)
△OBE为等边三角形,有:
得: (2分)
故得最大距离: (2分)
说明:计算题其它解法正确的均给分。
26.(14分) (1) (2分)
(2)C(2分) 原子晶体(2分)
(3)Cl2+2OH一=Cl一十ClO一+H2O (4分)
(4)阴(2分) 0.1(2分)
27.(14分)(1)过滤(2分),漏斗,玻璃棒(各1分,共2分)
(2)Cu(2分)
(3)因为Hg有挥发性,且有毒。(2分)
(4)Cu+H2O2+H2SO4=CuSO4+2H2O(4分)
(5)冷却结晶(或结晶)(2分)
28.(14分)(1)0.16(2分)
(2)>(3分),<(3分)
(3)b=2a>l(4分),(或a>0.5,b=2a;或b>1,b=2a)
(4)B、C(2分)
29.(18分)(1)C7H6O4(2分) 羟基、羧基(每空1分,共2分)
②保护酚羟基,防止其被氧化 (2分)
③a、b (2分)
30.(每空2分,共18分)
(3)实验步骤
I.②实验组 对照组
Ⅱ.②大小一致和饱满程度相同的黄豆种子 ③相同的环境下
(4)结果预测与分析
①A组的种子萌发数量和长度与B组相比都有所减少
②A组的种子萌发数量和长度与B组相比都有所增加
洗发水对种子萌发和生长都有一定的促进作用
③A组的种子萌发数量和长度与B组基本相同
洗发水对种子萌发和生长基本没有影响
31.(每空2分,共24分)
I.(1)黄毛、尾弯曲 黄毛、灰毛
(2)BB (3)BbXTXt
(4) ①显性 ②体
(5)乙 乙突变体的蛋白质中氨基酸的改变比甲突变体可能更多(或:甲突变体的蛋白质可能只有一个氨基酸发生改变,乙突变体的蛋白氨基酸序列可能从第一个氨基酸后都改变)。
II.(1)O2释放 CO2吸收速率
(2)光照强度降低,光反应速率降低
“光斑”照耀期间积累的ATP和NADPH还可以使暗反应持续一段时间
的“U”型金属框架,其框架平面与桌面平行。其ab部分的电阻为R.框架其它部分
的电阻不计。垂直框架两边放一质量为m、电阻为R的金属棒cd,它们之间的动摩擦因数为,且接触始终良好。cd棒通过不可伸长的细线与一个固定在O点的力的显示器相连,始终处于静止状态。现在让框架由静止开始在水平恒定拉力F的作用下(F是未知数),向右做加速运动,设最大静摩擦力和滑动摩擦力相等。最终框架匀速运动时力的显示器的读数为2mg。已知框架位于竖直向上足够大的匀强磁场中,磁感应强度为B。求:
(1)框架和棒刚开始运动的瞬间,框架的加速度为多大?
(2)框架最后做匀速运动对的速度多大?
(1)框架和棒刚开始运动的瞬间,框架的加速度为多大?
(2)框架最后做匀速运动(棒处于静止状态)时的速度多大?
(3)若框架通过位移S 后开始匀速,已知弹簧的弹性势能的表达式为 k x2 (x为弹簧的形变量),则在框架通过位移 s 的过程中,回路中产生的电热为多少?
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(1)框架和棒刚开始运动的瞬间,框架的加速度为多大??
(2)框架最后做匀速运动(棒处于静止状态)时的速度为多大???
(3)若框架通过位移s后开始匀速,已知弹簧的弹性势能的表达式为Kx2(x为弹簧的形变量),则在框架通过位移s的过程中,回路中产生的电热为多少???
查看习题详情和答案>>、如图所示,在一光滑水平的桌面上,放置一质量为M,宽为L的足够长“U”型框架,其ab部分电阻为R,框架其它部分的电阻不计。垂直框架两边放一质量为m、电阻为R的金属棒cd,它们之间的动摩擦因数为μ,棒通过细线跨过一定滑轮与劲度系数为 k 的另一端固定的轻弹簧相连。开始弹簧处于自然状态,框架和棒均静止。现在让框架在大小为2μmg的水平拉力作用下,向右做加速运动,引起棒的运动可看成是缓慢的。水平桌面位于竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度为B。
问:(1)框架和棒刚开始运动的瞬间,框架的加速度为多大?
(2)框架最后做匀速运动(棒处于静止状态)时的速度多大?
(3)若框架通过位移S后开始匀速,已知弹簧的弹性势能的表达式为kx2/2(x为弹簧的形变量),则在框架通过位移S的过程中,回路中产生的电热为多少?
查看习题详情和答案>>(12分)、如图所示,在一光滑水平的桌面上,放置一质量为M,宽为L的足够长“U”型框架,其ab部分电阻为R,框架其它部分的电阻不计。垂直框架两边放一质量为m、电阻为R的金属棒cd,它们之间的动摩擦因数为μ,棒通过细线跨过一定滑轮与劲度系数为 k 的另一端固定的轻弹簧相连。开始弹簧处于自然状态,框架和棒均静止。现在让框架在大小为2μmg的水平拉力作用下,向右做加速运动,引起棒的运动可看成是缓慢的。水平桌面位于竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度为B。
问:(1)框架和棒刚开始运动的瞬间,框架的加速度为多大?
(2)框架最后做匀速运动(棒处于静止状态)时的速度多大?
(3)若框架通过位移S后开始匀速,已知弹簧的弹性势能的表达式为kx2/2(x为弹簧的形变量),则在框架通过位移S的过程中,回路中产生的电热为多少?
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