（1）若电子（质量为m，电荷量大小为e）以垂直于MN的初速度v₀从小孔O向右射入，求电子在虚线PQ上的射入点和射出点之间的距离d。

（2）若在MN与PQ之间加一个与PQ方向平行的匀强电场，然后让电子仍以垂直于MN的初速度v₀从小孔O向右射入，通过该匀强电场后再进入匀强磁场，试讨论电子在虚线PQ上的射入点和射出点之间的距离d将如何变化。

如图所示，虚线PQ右侧有垂直于纸面向外的范围足够大的匀强磁场，磁感应强度为B，虚线PQ左侧是无场空间。MN是与PQ平行的挡板，其中心有一个小孔O。若在MN与PQ之间加一个与PQ方向平行的匀强电场，然后让电子仍以垂直于PQ的初速度v₀从小孔O向右射入，通过该匀强电场后再进入匀强磁场，试讨论电子在虚线PQ上的射入点和射出点之间的距离d将如何变化？

如图所示，虚线PQ右侧有垂直于纸面向外的范围足够大的匀强磁场，磁感应强度为B，虚线PQ左侧是无场空间。MN是与PQ平行的挡板，其中心有一个小孔O。若电子（质量为m，电荷量为e）以垂直于PQ的初速度v₀从小孔O向右射入，求电子在虚线PQ上的射入点和射出点之间的距离d。