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(1)As的核外电子排布式为_____________。
(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为_____________。
(3)下列说法正确的是__________（填字母）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能：As> Ca
C．电负性：As> Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
E．半导体GaP与CaAs互为等电子体
(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃ 时制备得到。AsH3的空间形状为____，(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为_____________。
(5) AsH3沸点比NH3低，其主要原因是__________________
砷化镓（GaAs）属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。
试回答：
（1）As的核外电子排布式为 。
（2）砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
（3）下列说法正确的是 （填字母）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性：As＞Ga D．砷化镓晶体中含有配位键
E．半导体GaP与GaAs互为等电子体
（4）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。
AsH3的空间形状为 ，（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为 。
（5）AsH3沸点比NH3低，其主要原因是 。
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砷化镓（GaAs）属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。
试回答：
（1）As的核外电子排布式为 。
（2）砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
（3）下列说法正确的是 （填字母）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性：As＞Ga D．砷化镓晶体中含有配位键
E．半导体GaP与GaAs互为等电子体
（4）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。
AsH3的空间形状为 ，（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为 。
（5）AsH3沸点比NH3低，其主要原因是 。
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（1）As的核外电子排布式为 。
（2）砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
（3）下列说法正确的是 （填字母）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性：As＞Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
E．半导体GaP与GaAs互为等电子体
（4）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为 ，（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为 。
（5）AsH3沸点比NH3低，其主要原因是 。
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（1）As的核外电子排布式为 。
（2）砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 。
（3）下列说法正确的是 （填字母）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性：As＞Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
E．半导体GaP与GaAs互为等电子体
（4）砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为 ，(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
（5）AsH3沸点比NH3低，其主要原因是 。
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