Question

砷化镓（GaAs）属于第三代半导体，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答：

（1）As的核外电子排布式为       。

（2）砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为       。

（3）下列说法正确的是       （填字母）。

       A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

       B．第一电离能：As＞Ga

       C．电负性：As＞Ga

       D．砷化镓晶体中含有配位键

E．半导体GaP与GaAs互为等电子体

（4）砷化镓是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH₃的空间形状为       ，（CH₃）₃Ga中镓原子的杂化方式为       。

（5）AsH₃沸点比NH₃低，其主要原因是       。

Answer 1

A．（12分）

（1）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³或[Ar]3d¹⁰4s²4p³（2分）

（2）4（2分）

（3）BCDE（2分，写对1个得0分，写对2～3个得1分，有错得0分）

（4）三角锥形（2分）    sp²（2分）

（5）NH₃分子间能形成氢键，而AsH₃分子间不能形成氢键（2分，没有强调分子间氢键的得1分，回答分子内氢键的得0分）