摘要：16．已知A和B是第二或第三周期元素.可在同一周期.也可以在不同周期.两者可形成AmBn 型离子化合物.若A的原子序数为x.则B的原子序数不可能是 A．x – m– n + 16 B．x – m – n + 8 C．x + m + n – 8 + 18 D．x – m – n
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已知A、B、C是第二周期的非金属元素，其原子序数依次增大，且它们之间可以形成AC和BC以及AC2和BC2分子，D元素是一种短周期元素，它与A、B、C可分别形成电子总数相等的三种分子．请填空：
（1）写出A、B、C、D对应的元素符号：A 、B 、C 、D ．
（2）写出工业生产中BD3与氧气反应的化学方程式： ．
（3）你认为B、C、D元素形成的化合物之间 （填“能”或“不能”）发生下面的反应BC+BD3-→DBC2+D2C，得出上面结论的理由是 ．
（4）Ⅰ．恒温恒压下，在一体积可变的密闭容器中发生下列反应：4AC（g）+2BC2（g）?4AC2（g）+B2（g）在上述条件下，向容器中充入AC和BC2各1mol达平衡时，生成AC2和B2共a mol，则AC的转化率是 （用含a的代数式表示）．
Ⅱ．若维持温度不变，在一个与Ⅰ反应前的起始体积相同，容积固定的密闭容器中发生Ⅰ中所述的化学反应，开始时仍向容器中充入AC和BC2各1mol，达平衡时生成AC2和B2共b mol，将b与Ⅰ中的a进行比较，则a b（填“＞”“＜”“=”或“不能确定”）．
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（1）写出A、B、C、D对应的元素符号：A
（2）写出工业生产中BD3与氧气反应的化学方程式：
（3）你认为B、C、D元素形成的化合物之间
（4）Ⅰ．恒温恒压下，在一体积可变的密闭容器中发生下列反应：4AC（g）+2BC2（g）?4AC2（g）+B2（g）在上述条件下，向容器中充入AC和BC2各1mol达平衡时，生成AC2和B2共a mol，则AC的转化率是
Ⅱ．若维持温度不变，在一个与Ⅰ反应前的起始体积相同，容积固定的密闭容器中发生Ⅰ中所述的化学反应，开始时仍向容器中充入AC和BC2各1mol，达平衡时生成AC2和B2共b mol，将b与Ⅰ中的a进行比较，则a
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。
试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为________________。
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。
（3）B元素的单质分子中有______个π键。
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______
（5）FH3沸点与比BH3_____(填“高”或“低”)，原因是________________。
（6）当0.01摩尔CrE3·6H2O在水溶液中用过量的AgNO3溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。
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（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。
（3）B元素的单质分子中有______个π键。
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______
（5）FH3沸点与比BH3_____(填“高”或“低”)，原因是________________。
（6）当0.01摩尔CrE3·6H2O在水溶液中用过量的AgNO3溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。
已知A、B、C是第二周期的非金属元素，其原子序数依次增大，且它们之间可以形成AC和BC以及AC2和BC2分子，D元素是一种短周期元素，它与A、B、C可分别形成电子总数相等的三种分子。
请填空：
(1)写出A、B、C、D对应的元素符号：A________、B________、C________、D________。
(2)写出工业生产中BD3与氧气反应的化学方程式： _________________________。
(3)你认为B、C、D元素形成的化合物之间________(填“能”或“不能”)发生下面的反应BC＋BD3→DBC2＋D2C，得出上面结论的理由是_________________________。
(4)Ⅰ．恒温恒压下，在一体积可变的密闭容器中发生下列反应：4AC(g)＋2BC2(g)
4AC2(g)＋B2(g)在上述条件下，向容器中充入AC和BC2各1 mol达平衡时，生成AC2和B2共a mol，则AC的转化率是________(用含a的代数式表示)。
Ⅱ．若维持温度不变，在一个与Ⅰ反应前的起始体积相同，容积固定的密闭容器中发生Ⅰ中所述的化学反应，开始时仍向容器中充入AC和BC2各1 mol，达平衡时生成AC2和B2共b mol，将b与Ⅰ中的a进行比较，则a________b(填“>”“<”“=”或“不能确定”)。
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(1)写出A、B、C、D对应的元素符号：A________、B________、C________、D________。
(2)写出工业生产中BD3与氧气反应的化学方程式： _________________________。
(3)你认为B、C、D元素形成的化合物之间________(填“能”或“不能”)发生下面的反应BC＋BD3→DBC2＋D2C，得出上面结论的理由是_________________________。
(4)Ⅰ．恒温恒压下，在一体积可变的密闭容器中发生下列反应：4AC(g)＋2BC2(g)
4AC2(g)＋B2(g)在上述条件下，向容器中充入AC和BC2各1 mol达平衡时，生成AC2和B2共a mol，则AC的转化率是________(用含a的代数式表示)。 Ⅱ．若维持温度不变，在一个与Ⅰ反应前的起始体积相同，容积固定的密闭容器中发生Ⅰ中所述的化学反应，开始时仍向容器中充入AC和BC2各1 mol，达平衡时生成AC2和B2共b mol，将b与Ⅰ中的a进行比较，则a________b(填“>”“<”“=”或“不能确定”)。
已知A、B、C是第二周期的非金属元素，其原子序数依次增大，且它们之
间可以形成AC和BC以及AC2和BC2分子，D元素是一种短周期元素，它和A、B、C
可分别形成电子总数相等的三种分子。请回答：
（1）写出A、B、C、D对应的元素符号 ， ， ， 。
（2）写出BD3与氧气反应的化学方程式
（3）你认为B、C、D元素形成的化合物之间能否 （选填“能”或“不能”）发生下面的反应：BC＋BD3→DBC2＋D2C，理由是
（4）由A、C、D三种元素组成的化合物A2D6C在一定条件下可以转化为A2D4C，写出实现该转化的化学方程式
（5）①恒温恒压下，在一定体积可变的密闭容器中发生下列反应：
4AC（g）＋2 BC2（g）
4 AC2（g）＋B2（g）
在上述条件下，向容器中充入AC和 BC2各1mol达平衡时，生成AC2和B2共a mol，则AC的转化率是 （用含a的代数式表示）。
②若维持温度不变，在一个与①反应前的体积相同且容积固定的密闭容器中发生①中所述的化学反应，开始时仍向容器中充入AC和 BC2各1mol，达平衡时生成AC2和B2共b mol，将b与①中的a进行比较，则a b（填“＞”、“＜”或“不能确定”）。
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已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为______．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______．
（3）B元素的单质分子中有______个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为______（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______．
（5）EH3分子的空间构型为______，其沸点与BH3相比______（填“高”或“低”），原因是______．
（6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式______．
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试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为______．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______．
（3）B元素的单质分子中有______个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为______（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______．
（5）EH3分子的空间构型为______，其沸点与BH3相比______（填“高”或“低”），原因是______．
（6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式______．
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