Question

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。    
试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为________________。
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。
（3）B元素的单质分子中有______个π键。
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______ 
（5）FH₃沸点与比BH₃_____(填“高”或“低”)，原因是________________。
（6）当0.01摩尔CrE₃·6H₂O在水溶液中用过量的AgNO₃溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。

Answer 1

（1）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹  
（2）N＞C＞Si 
（3）2  
（4）sp；范德华力
（5）低；NH₃分子间能形成氢键，而AsH₃分子间不能形成氢键
（6）[Cr(H₂O)₅Cl]^2＋