摘要:4.下列反应类型中可能是吸热反应的是 ①化合反应,②分解反应,③置换反应,④复分解反应,⑤氧化还原反应. A.①②③④⑤ B.②④ C.①③⑤ D.①②
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(6分)(1)下列数据是对应物质的熔点(℃)
| NaCl | Na2O | AlF3 | AlCl3 | BCl3 | Al2O3 | CO2 | SiO2 |
| 801 | 920 | 1291 | 190 | -109 | 2073 | -57 | 1723 |
A、铝的化合物晶体
B、表中只有BCl3、干冰是分子晶体
C、同族元素的氧化物可形成不同类型的晶体
D、不同族元素的氧化物可形成不同类型的晶体
(2)SiO2晶体结构片断如图所示。SiO2晶体中Si和Si-O键的比例为_____________。
通常人们把拆开1mol 某化学键所吸收的能量看成该化学键的键能。
| 化学键 | Si-O | Si-Si | O=O |
| 键能/ KJ·mol-1 | 460 | 176 | 498 |
(16分)甲烷的氯化反应式为:

(1)在链增长的第二部反应中形成的化合物的电子式为 ;
(2)在反应机理的三个阶段破坏或形成的化学键类型均为 ;
(3)在短周期主族元素中,氯元素及与其相邻元素的电负性有大到小的顺序是 (用元素符号表示)。与氯元素同周期且金属性最强的元素位于周期表的第 周期 族。
(4)链引发的反应为 ;链终止的反应为 (填“吸热”或“放热”)
(5)卤素单质及化合物在许多物质上都存在着递变规律。下列有关说法正确的是 。
a.相同条件下卤化银的Ksp按AgCl、AgBr、AgI 的顺序依次增大
b.卤化氢溶入水的酸性按HF、HCl、HBr、HI的顺序依次减弱
c.卤化氢的还原性按HF、HCl、HBr、HI的顺序依次减弱
d.卤素单质氧化性按F2、Cl2、Br2、I2的顺序依次减弱
(6)卤化氢的键能与键长大小如下表。
由上表数据可以推断:
①卤素单质非金属性越强,与氢化合生成的氢化物越 (填“稳定”或“不稳定”)。
②卤化氢的键长与卤离子的半径的关系是: 。
(1)在链增长的第二部反应中形成的化合物的电子式为 ;
(2)在反应机理的三个阶段破坏或形成的化学键类型均为 ;
(3)在短周期主族元素中,氯元素及与其相邻元素的电负性有大到小的顺序是 (用元素符号表示)。与氯元素同周期且金属性最强的元素位于周期表的第 周期 族。
(4)链引发的反应为 ;链终止的反应为 (填“吸热”或“放热”)
(5)卤素单质及化合物在许多物质上都存在着递变规律。下列有关说法正确的是 。
a.相同条件下卤化银的Ksp按AgCl、AgBr、AgI 的顺序依次增大
b.卤化氢溶入水的酸性按HF、HCl、HBr、HI的顺序依次减弱
c.卤化氢的还原性按HF、HCl、HBr、HI的顺序依次减弱
d.卤素单质氧化性按F2、Cl2、Br2、I2的顺序依次减弱
(6)卤化氢的键能与键长大小如下表。
| | HF | HCl | HBr | HI |
| 键能/kJ·mol-1 | 568.6 | 431.8 | 365.7 | 298.7 |
| 键长/pm | 92 | 127.6 | 141.0 | 162 |
①卤素单质非金属性越强,与氢化合生成的氢化物越 (填“稳定”或“不稳定”)。
②卤化氢的键长与卤离子的半径的关系是: 。
(1)下列数据是对应物质的熔点(℃)
据此作出的下列判断中,错误的是___________
A、铝的化合物晶体中有离子晶体
B、表中只有BCl3、干冰是分子晶体
C、同族元素的氧化物可形成不同类型的晶体
D、不同族元素的氧化物可形成不同类型的晶体
(2)SiO2晶体结构片断如图所示。SiO2晶体中Si和Si-O键的比例为_____________。
A、铝的化合物晶体中有离子晶体
B、表中只有BCl3、干冰是分子晶体
C、同族元素的氧化物可形成不同类型的晶体
D、不同族元素的氧化物可形成不同类型的晶体
(2)SiO2晶体结构片断如图所示。SiO2晶体中Si和Si-O键的比例为_____________。
通常人们把拆开1mol 某化学键所吸收的能量看成该化学键的键能。
Si(s)+O2(g)
SiO2(s),该反应的反应热△H = ___________
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(14分)元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是 。
a.原子序数和离子半径均减小 b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水合物碱性减弱,酸性增强 d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ,氧化性最弱的简单阳离子是 。
(3)已知:
| 化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
| 类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
| 熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ;制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
(4)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
写出SiCl4的电子式: ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量,写出该反应的热化学方程式: 。
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是 。
a. NH3 b. HI c. SO2 d . CO2
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式: 。 查看习题详情和答案>>