（1）电解饱和食盐水可以制得烧碱、氯气和氢气，该反应的化学方程式为：．
（2）氯气用于生产半导体材料硅的流程如下：

（3）①石英砂的主要成分是，在制备粗硅时，焦炭的作用是．
②粗硅与氯气反应后得到的液态四氯化硅中常混有一些杂质，必须进行分离提纯．其提纯方法为．
③由四氯化硅得到高纯硅的化学方程式是：．

（1）电解饱和食盐水可以制得烧碱、氯气和氢气，该反应的化学方程式为：______．
（2）氯气用于生产半导体材料硅的流程如下：

（3）①石英砂的主要成分是______，在制备粗硅时，焦炭的作用是______．
②粗硅与氯气反应后得到的液态四氯化硅中常混有一些杂质，必须进行分离提纯．其提纯方法为______．
③由四氯化硅得到高纯硅的化学方程式是：______．

氯碱厂电解饱和食盐水溶液制取NaOH的工艺流程示意图如下：



依据上图，完成下列问题：
（1）写出电解饱和食盐水的离子方程式：______．
（2）粗盐常含Ca²⁺、Mg²⁺、SO₄^2-等杂离子，精制过程中要将它们以沉淀的形式除去，则加入试剂的合理顺序为______（填编号）．
A．先加入NaOH，后加入Na₂CO₃，再加入BaCl₂溶液
B．先加入NaOH，后加入BaCl₂溶液，再加入Na₂CO₃
C．先加入BaCl₂溶液，后加入NaOH，再加入Na₂CO₃
（3）脱盐工序中利用NaOH和NaCl在溶解度上的差异，通过______（填写操作名称）、冷却结晶、______（填写操作名称），除去NaCl．
（4）由图示可知在电解制碱过程中______可以循环使用，以提高反应物利用率；在制碱的同时，还产生H₂和Cl₂，工业上常常利用它们生产______．
（5）如图所示，目前电解法制烧碱通常采用离子交换膜法，阳离子交换膜不允许阴离子通过，阴离子交换膜不允许阳离子通过．

则以下叙述正确的是______（填编号）．
A．NaOH、H₂均在Ⅰ区产生
B．图中a为阴离子交换膜，b为阳离子交换膜
C．Ⅲ区炭棒上的电极反应式为 2Cl^--2e→Cl₂↑
D．取少量Ⅲ区中的溶液，滴加酚酞，溶液变红色
（6）在实际生产中，经过脱盐后得到含溶质质量分数约为50%的NaOH溶液（密度为1.92g/cm³），则该烧碱溶液的物质的量浓度为______．

（2008?闵行区模拟）氯碱厂电解饱和食盐水溶液制取NaOH的工艺流程示意图如下：

依据上图，完成下列问题：
（1）写出电解饱和食盐水的离子方程式：．
（2）粗盐常含Ca²⁺、Mg²⁺、SO₄^2-等杂离子，精制过程中要将它们以沉淀的形式除去，则加入试剂的合理顺序为（填编号）．
A．先加入NaOH，后加入Na₂CO₃，再加入BaCl₂溶液
B．先加入NaOH，后加入BaCl₂溶液，再加入Na₂CO₃
C．先加入BaCl₂溶液，后加入NaOH，再加入Na₂CO₃
（3）脱盐工序中利用NaOH和NaCl在溶解度上的差异，通过（填写操作名称）、冷却结晶、（填写操作名称），除去NaCl．
（4）由图示可知在电解制碱过程中可以循环使用，以提高反应物利用率；在制碱的同时，还产生H₂和Cl₂，工业上常常利用它们生产．
（5）如图所示，目前电解法制烧碱通常采用离子交换膜法，阳离子交换膜不允许阴离子通过，阴离子交换膜不允许阳离子通过．则以下叙述正确的是（填编号）．
A．NaOH、H₂均在Ⅰ区产生
B．图中a为阴离子交换膜，b为阳离子交换膜
C．Ⅲ区炭棒上的电极反应式为 2Cl^--2e→Cl₂↑
D．取少量Ⅲ区中的溶液，滴加酚酞，溶液变红色
（6）在实际生产中，经过脱盐后得到含溶质质量分数约为50%的NaOH溶液（密度为1.92g/cm³），则该烧碱溶液的物质的量浓度为．