摘要：如图所示.S为离子源.从其小孔发射出电量为q的正离子.经电压为U0的电场加速后.沿AC方向进入匀强磁场中.磁场被限制在以O为圆心r为半径的圆形区域内.磁感应强度大小为B.方向垂直纸面向里.正离子从磁场射出后.打在屏上的P点.偏转距离CP与屏到O点的距离OC之比CP:OC=. 求:正离子通过磁场所需的时间.
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如图所示，S为离子源，从其小孔发射出电量为q的正离子（初速度可认为为零），经电压为U0的电场加速后，沿AC方向进入匀强磁场中。磁场被限制在以O为圆心r为半径的圆形区域内，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向里。正离子从磁场射出后，打在屏上的P点，偏转距离CP与屏到O点的距离OC之比CP：OC=
。
求：（1）正离子的质量；
（2）正离子通过磁场所需的时间。
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如图所示，S为离子源，从其小孔发射出电量为q的正离子（初速度可认为为零），经电压为UK的电场加速后，沿O1O2方向进入匀强磁场中。磁场被限制在以O为圆心r为半径的圆形区域内，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向里。正离子从磁场射出后，打在屏上的P点，偏转距离O2P与屏到O点的距离OO2之比O2P：OO2=
。求：（1）正离子的质量；（2）正离子通过磁场所需的时间。
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。求：（1）正离子的质量；（2）正离子通过磁场所需的时间。
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（12分）如图所示，S为离子源，从其小孔发射出电量为q的正离子（初速度可认为为零），经电压为U0的电场加速后，沿AC方向进入匀强磁场中。磁场被限制在以O为圆心r为半径的圆形区域内，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向里。正离子从磁场射出后，打在屏上的P点，偏转距离CP与屏到O点的距离OC之比CP：OC=
。求：
（1）正离子的质量；
（2）正离子通过磁场所需的时间。
查看习题详情和答案>>如图所示，S为离子源，从其小孔发射出电量为q的正离子（初速度可认为为零），经电压为U0的电场加速后，沿AC方向进入匀强磁场中。磁场被限制在以O为圆心r为半径的圆形区域内，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向里。正离子从磁场射出后，打在屏上的P点，偏转距离CP与屏到O点的距离OC之比CP：OC=
。求：（1）正离子的质量；
（2）正离子通过磁场所需的时间。
。求：（1）正离子的质量；（2）正离子通过磁场所需的时间。
如图所示，在xOy平面的第一象限内，分布有沿x轴负方向的场强E=| 4 |
| 3 |
| 3 |
| q |
| m |
（1）a粒子在第四象限的磁场中运动时的轨道半径和粒子从S到达P孔的时间；
（2）除了通过准直管的a粒子外，为使其余a粒子都不能进入电场，平板OM的长度至少是多长？
（3）经过准直管进入电场中运动的a粒子，第一次到达y轴的位置与O点的距离；
（4）要使离开电场的a粒子能回到粒子源S处，磁感应强度B2应为多大？