摘要：10．图甲中bacd为导体做成的框架.其平面与水平面成角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中.磁感应强度的变化如图乙.PQ始终静止.在0-t1内.PQ受到的摩擦力f的变化情况可能是 A．f一直不变 B．f一直减小 C．f先减小后增大 D．f先增大后减小 第Ⅱ卷
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图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m，的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内（ ）
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图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m，的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内（ ）
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| A．导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上 |
| B．导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下 |
| C．导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大 |
| D．导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大 |
图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m，的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内（ ）
A．导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B．导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C．导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D．导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大
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A．导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向上
B．导体棒PQ所受安培力的方向始终沿轨道斜面向下
C．导体棒PQ受到的摩擦力可能一直增大
D．导体棒PQ受到的摩擦力可能先减小后增大
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