题目内容
在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压．
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
（2）试证明：UH=K
，K为与材料有关的常量．
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法？
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
（2）试证明：UH=K
| IB |
| d |
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法？
（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高 ①
（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力
e
=evB ②
设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s
I=nesv ③
s=dL ④
由②③④得：
UH=
⑤
令k=
，则 UH=k
⑥
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
答：（1）M点电势高．
（2）证明如上所示．
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力
e
| UH |
| L |
设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s
I=nesv ③
s=dL ④
由②③④得：
UH=
| BI |
| ned |
令k=
| 1 |
| ne |
| BI |
| d |
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
答：（1）M点电势高．
（2）证明如上所示．
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
练习册系列答案
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在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就形成了一个霍尔元件，如图所示，在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，则薄片中的自由电荷就在洛伦兹力的作用下向着与电流和磁场都垂直的方向漂移，使M、N间出现了电压．设薄片中的自由电荷为正电荷．下列说法正确的是（ ）
（2009?盐城模拟）在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压．
在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压UH ，称为霍尔电压。
，K为与材料有关的常量。
，K为与材料有关的常量。
，K为与材料有关的常量。