题目内容
在如图所示的空间区域里,x轴下方有一匀强电场,场强方向跟x轴负方向成60°角,大小为E=
×105N/C,x轴上方有一垂直纸面向里的匀强磁场,有一质子以速度υ=2.0×106m/s由x轴上A点(OA=20cm)从与x轴正方向成30°角射入磁场,恰好从坐标原点O穿过x轴射入电场,已知质子质量m=1.6×10-27kg,求
(1)匀强磁场的磁感应强度;
(2)质子经过电场后,再次射入磁场的位置和方向.
8 | 3 |
(1)匀强磁场的磁感应强度;
(2)质子经过电场后,再次射入磁场的位置和方向.
分析:(1)画出质子在磁场中运动的轨迹,由几何知识求出轨迹半径r.由qvB=m
求解磁感应强度B;
(2)质子进入电场时速度方向与电场方向垂直,做类平抛运动,运用运动的分解法,由牛顿第二定律和运动学公式求出质子再射入磁场的位置离O点距离,及速度方向.
v2 |
r |
(2)质子进入电场时速度方向与电场方向垂直,做类平抛运动,运用运动的分解法,由牛顿第二定律和运动学公式求出质子再射入磁场的位置离O点距离,及速度方向.
解答:解:(1)画出质子在磁场中运动的轨迹如图所示,由几何知识得
轨迹半径r=OA=20cm=0.2m.
由qvB=m
得,
B=
=0.1T
(2)由图看出,质子进入电场时速度方向与电场方向垂直,做类平抛运动,则
沿电场线方向 s1=
?
t2
垂直电场线方向 s2=vt
几何关系:
=tan30°
联立可得:t=
×10-7s
所以再射入磁场位置离O点距离为
S=
=0.2m,即从A点射入.
由类平抛推论:质子离开电场时速度方向交沿垂直于电场线方向位移的中点,以及几何关系可得:粒子再次射入磁场的速度方向与x轴正向成角度为θ=arctan
-
.
答:(1)匀强磁场的磁感应强度是0.1T;
(2)质子经过电场后,再次射入磁场的位置离O点距离为0.2m,速度方向与x轴正向成角度为θ=arctan
-
.
轨迹半径r=OA=20cm=0.2m.
由qvB=m
v2 |
r |
B=
mv |
qr |
(2)由图看出,质子进入电场时速度方向与电场方向垂直,做类平抛运动,则
沿电场线方向 s1=
1 |
2 |
qE |
m |
垂直电场线方向 s2=vt
几何关系:
s1 |
s2 |
联立可得:t=
| ||
2 |
所以再射入磁场位置离O点距离为
S=
S12+
|
由类平抛推论:质子离开电场时速度方向交沿垂直于电场线方向位移的中点,以及几何关系可得:粒子再次射入磁场的速度方向与x轴正向成角度为θ=arctan
2
| ||
3 |
π |
6 |
答:(1)匀强磁场的磁感应强度是0.1T;
(2)质子经过电场后,再次射入磁场的位置离O点距离为0.2m,速度方向与x轴正向成角度为θ=arctan
2
| ||
3 |
π |
6 |
点评:本题质子在组合场中运动的类型,磁场中画出质子的轨迹,电场中运用运动的分解法研究,合理运用相关推论,解题更加简便.
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