题目内容

霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则(    )

A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度()越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D.电流,越大,上、下表面的电势差U越小

AB

解析试题分析: 最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡,设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c,有q==qvB,电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc,所以U= B越大,上、下表面的电势差U越大.电流越大,上、下表面的电势差U越大.故A正确,D错误;k越大,根据磁感应强度B=B0+kz,知B随z的变化越大,根据U= 知,U随z的变化越大,即传感器灵敏度()越高.故B正确;霍尔元件中移动的是自由电子,根据左手定则,电子向下表面偏转,所以上表面电势高.故C错误。
考点:霍尔效应及其应用

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