题目内容
C．如图所示，平行金属导轨与水平面成θ角，导轨与两相同的固定电阻R1和R2相连，匀强磁场垂直穿过导轨平面．有一导体棒ab，质量为m，导体棒的电阻R=2R1，与导轨之间的动摩擦因数为μ，导体棒ab沿导轨向上滑动，当上滑的速度为v时，固定电阻R1消耗的热功率为P，此时（ ）分析：由图电阻R1、R2并联与导体棒串联．重力的功率为mgvsinθ．整个装置消耗的机械功率等于外力的功率与整个装置因摩擦而消耗的热功率之和．由感应电动势、欧姆定律、安培力公式，推导安培力与速度的关系式．
解答：解：A、整个装置因摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθ，．故A正确．
B、根据功能关系可知，整个装置消耗的机械功率等于外力的功率与整个装置因摩擦而消耗的热功率之和，摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθ，则此装置消耗的机械功率大于μmgvcosθ．故B错误．
C、D、设ab长度为L，磁感应强度为B，电阻均为R．
电路中感应电动势E=BLv
ab中感应电流为I=
=
得到，ab所受安培力F=BIL=
固定电阻R1消耗的热功率为P=(
I)2?
R=
故有F=
．故C错误，D正确．
故选AD
B、根据功能关系可知，整个装置消耗的机械功率等于外力的功率与整个装置因摩擦而消耗的热功率之和，摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθ，则此装置消耗的机械功率大于μmgvcosθ．故B错误．
C、D、设ab长度为L，磁感应强度为B，电阻均为R．
电路中感应电动势E=BLv
ab中感应电流为I=
| E | ||
R+
|
| 4BLv |
| 5R |
得到，ab所受安培力F=BIL=
| 4B2L2v |
| 5R |
固定电阻R1消耗的热功率为P=(
| 1 |
| 2 |
| 1 |
| 2 |
| 2B2L2v2 |
| 25R |
故有F=
| 10P |
| v |
故选AD
点评：本题是常规题，关键是推导安培力与速度的关系式，求出安培力与电阻消耗功率的关系．
练习册系列答案
相关题目
2010 年3 月1 日，第21 届温哥华冬奥会闭幕，中国代表队以5 金2 银3 铜的好成绩挤进前十，在众多比赛项目中，跳台滑雪是非常好看刺激的项目．如图所示是简化后的跳台滑雪的雪道示意图．运动员从助滑雪道AB上由静止开始下滑，到达C点后水平飞出，以后落到F点．E是运动轨迹上的某一点，在该点运动员的速度方向与轨道CD 平行．设运动员从C到E与从E与F的运动时间分别为tCE和tEF，FG和斜面CD 垂直，则（ ）| A、tCE大于tEF，CG 等于GF | B、tCE等于tEF，CG 小于GF | C、tCE大于tEF，CG 小于GF | D、tCE等于tEF，CG 等于GF |
封一部分气体，活塞与容器壁间能无摩擦滑动，大气压恒为p0，容器的横截面积为S，密封气体的压强是 ，当气体从外界吸收热量Q后，活塞缓慢上升d后再次平衡，在此过程中密闭气体的内能增加 。
(2)（4分）沿x轴正方向传播的简谐横波在t=0时的波形如图所示，P、Q两个质点的平衡位置分别位于x=3.5m和x=6.5m处。在t1=0.5s时，质点P此后恰好第二次处于波峰位置；则t2= s时，质点Q此后第二次在平衡位置且向上运动；当t3=0.9s时，质点P的位移为__ ____cm。 
（3）(4分) 如图所示，透明介质球球心位于O，半径为R，光线DC平行于直径AOB射到介质的C点，DC与AB的距离H=
R/2，若DC光线进入介质球后经一次反射再次回到介质球的界面时，从球内折射出的光线与入射光线平行，求介质的折射率。
)俘获一个质量为m2的质子后衰变为两个
粒子，
粒子以初动能E0与质量M的金核发生对心碰撞。若金核初时静止且自由，求
封一部分气体，活塞与容器壁间能无摩擦滑动，大气压恒为p0，容器的横截面积为S，密封气体的压强是 ，当气体从外界吸收热量Q后，活塞缓慢上升d后再次平衡，在此过程中密闭气体的内能增加 。
(2)（4分）沿x轴正方向传播的简谐横波在t=0时的波形如图所示，P、Q两个质点的平衡位置分别位于x=3.5m和x=6.5m处。在t1=0.5s时，质点P此后恰好第二次处于波峰位置；则t2=
s时，质点Q此后第二次在平衡位置且向上运动；当t3=0.9s时，质点P的位移为__ ____cm。 
（3）(4分) 如图所示，透明介质球球心位于O，半径为R，光线DC平行于直径AOB射到介质的C点，DC与AB的距离H=
R/2，若DC光线进入介质球后经一次反射再次回到介质球的界面时，从球内折射出的光线与入射光线平行，求介质的折射率。
)俘获一个质量为m2的质子后衰变为两个
粒子，
粒子以初动能E0与质量M的金核发生对心碰撞。若金核初时静止且自由，求