题目内容
在常温下，下列物质不与晶体硅反应的是（ ）A.F2 B.HF C.KOH溶液 D.Cl2
D
练习册系列答案
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在常温下，某兴趣小组模拟“侯氏制碱法”制取碳酸钠，流程如下：
在常温下，有关物质的溶解度为：
（1）操作Ⅲ中的实验操作名称为 ；
（2）操作I和操作II总反应的离子方程式为 ；
（3）操作I和II不能颠倒的原因 ；
（4）检验所得的碳酸钠粉末是否含有NaHCO3，的实验方案是（写出操作步骤、现象、结论）： ；
（5）为了测定所制取产物的纯度（假设杂质只有碳酸氢钠）．该小组的实验步骤为：
i．使用下列装置组装实验装置，并检查气密性；
ii．称取Wg产品放入C装置的锥形瓶中，加适量蒸馏水溶解
iii．称量D装置的质量为W1g
iv．从分液漏斗滴入稀硫酸，直到不再产生气体为止
v．从a处缓缓鼓入一定量的空气，再次称量D装置质量为W2g．
vi．重复步骤v的操作，直到D装置的质量不再改变，称得D装置的质量为W3g．
根据上述实验回答如下问题：
①第i步，使用上述装置连接的接口顺序为：（b）→（e）（f）→ →
②产物中碳酸钠的质量分数为（数字可不必化简） ．
在常温下，有关物质的溶解度为：
| 物质 | NH4Cl | NaHCO3 | Na2CO3 | NaCl |
| 溶解度/g | 37.2 | 9.6 | 21.5 | 36.0 |
（2）操作I和操作II总反应的离子方程式为
（3）操作I和II不能颠倒的原因
（4）检验所得的碳酸钠粉末是否含有NaHCO3，的实验方案是（写出操作步骤、现象、结论）：
（5）为了测定所制取产物的纯度（假设杂质只有碳酸氢钠）．该小组的实验步骤为：
i．使用下列装置组装实验装置，并检查气密性；
ii．称取Wg产品放入C装置的锥形瓶中，加适量蒸馏水溶解
iii．称量D装置的质量为W1g
iv．从分液漏斗滴入稀硫酸，直到不再产生气体为止
v．从a处缓缓鼓入一定量的空气，再次称量D装置质量为W2g．
vi．重复步骤v的操作，直到D装置的质量不再改变，称得D装置的质量为W3g．
根据上述实验回答如下问题：
①第i步，使用上述装置连接的接口顺序为：（b）→（e）（f）→
②产物中碳酸钠的质量分数为（数字可不必化简）
下列说法正确的是（ ）
| A、纯净的SiO2可用于制造计算机芯片 | B、光导纤维的主要成分是SiO2 | C、太阳能电池的基本原料是SiO2 | D、单质Si在常温下与任何物质都不反应 |