题目内容
【题目】下列有关化学反应速率和化学反应限度的叙述不正确的是
A.Na与水反应时，增加水的质量，能明显增大原反应的化学反应速率
B.制取乙酸乙酯时加入浓硫酸作催化剂并加热，可加快酯化反应的速率
C.实验室制取H2时，常用锌粉代替锌粒或滴加几滴CuSO4溶液可加快反应速率
D.一定条件下进行合成氨反应：N2+3H2
2NH3，N2不可能完全转化为NH3
【答案】A
【解析】
A. 水是纯液体，增加纯液体的质量不会改变反应速率，故A错误；
B. 制取乙酸乙酯时加入浓硫酸作催化剂并加热，升高温度，加入催化剂可加快化学反应速率，故B正确；
C. Zn与CuSO4溶液反应生成Cu，形成Cu-Zn原电池，可加快化学反应速率，故C正确；
D.合成氨反应：N2+3H2
2NH3，为可逆反应，可逆反应不能完全转换，则N2不可能完全转化为NH3，故D正确；
故答案选：A。
【题目】第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_______，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______，其中σ键的对称方式为______。与CN-互为等电子体的分子为__________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________，NF3的空间构型为_________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如表所示，分析其变化原因_____________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如图所示：晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_________；
