题目内容

GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是：Ga________价、As________价。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

硅   四氟化硅    二氧化硅    硅酸钠硅酸


解析:

由硅元素的特征性质推断。

练习册系列答案
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2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管（LED）．目前市售LED品片，材质基本以GaAs（砷化镓）、AlGaInP（磷化铝镓铟）、lnGaN（氮化铟镓）为主．已知镓是铝同族下一周期的元素．砷化镓的晶胞结构如图．试回答：
（1）镓的基态原子的电子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化镓晶胞中所包含的砷原子（白色球）个数为
4
4
，与同一个镓原子相连的砷原子成的空间构型为
正四面体
正四面体
．
（3）N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氢化物分子式表示）
（4）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃时制得．（CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为
sp2
sp2
．
（5）比较二者的第一电离能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列说法正确的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As＞Ga       D．砷化镓晶体中含有配位键．
GaAs(砷化镓)是仅次于硅的一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外层电子数分别是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合价分别是：Ga________价、As________价。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为________。

2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答：

(1)镓的基态原子的电子排布式是_______。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______。
(3)下列说法正确的是_________(填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能：As<Ga
C.电负性：As>Ga
D.GaP与GaAs互为等电子体
(4)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是_________。
(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。砷化镓的晶胞结构如图。试回答：

(1)镓的基态原子的电子排布式是_______。

(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为______，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为______。

(3)下列说法正确的是_________(填字母)。

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B.第一电离能：As<Ga

C.电负性：As>Ga

D.GaP与GaAs互为等电子体

(4)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是_________。

(5)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

 

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