题目内容
【题目】某 KCl 样品中含有少量 K2CO3、K2SO4 和不溶于水的杂质。为了提纯 KCl，先将样品溶于适量水中，搅拌、过滤，再将滤液按下图所示步骤进行提纯（过滤操作已略去）。下列说法正确的是
A. 步骤④的操作是过滤
B. 试剂Ⅰ为 BaCl2 溶液
C. 上图过程须经 2 次过滤
D. 步骤③目的是除去 Ba2+
【答案】B
【解析】
氯化钾样品中含有少量碳酸钾、硫酸钾和不溶于水的杂质，除去碳酸根离子和硫酸根离子，由流程可知，需要加入试剂I为过量氯化钡溶液，然后过滤后获得含氯化钡、氯化钾溶液X，然后加入过量的试剂Ⅱ为碳酸钾溶液除去溶液中的氯化钡，过滤，得到含氯化钾和碳酸钾混合液的W，再加入试剂Ⅲ为过量盐酸，除去过量的碳酸钾，最后通过加热浓缩、蒸发结晶得到氯化钾。A. 步骤④从混合物Z中得到氯化钾晶体，其操作是蒸发结晶，选项A错误；
B. 试剂Ⅰ为 BaCl2 溶液，然后过滤后获得含氯化钡、氯化钾溶液X，选项B正确；C．样品溶于适量水中，充分搅拌后过滤，选择试剂除去杂质还需要2次过滤，共3次，选项C错误；D．步骤③中加入试剂Ⅱ为过量盐酸，其目的是除去CO32－，选项D错误；答案选B。
【题目】CrSi、Ge-GaAs、ZnGeAs2、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。回答下列问题：
(1)基态铬原子的核外电子排布式为___________，其中未成对电子数为____________。
(2) Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为_______________。ZnGeAs2中Zn、Ge、As的电负性从大到小的顺序为________________。
(3)聚吡咯的单体为吡咯(
)，该分子中氮原子的杂化轨道类型为__________；分子中σ键与π键的数目之比为________________。
(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：
立方碳化硅 | 晶体硅 | 金刚石 | |
熔点/℃ | 2973 | 1410 | 3550～4000 |
分析熔点变化规律及其差异的原因：__________________________________________________。
(5)氧化亚铜的熔点为1235℃，其固态时的单晶胞如下图所示。
①氧化亚铜属于__________晶体。
②已知Cu2O的晶胞参数a=425.8pm,则其密度为__________ g·cm-3(列出计算式即可)。
