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已知X为第三周期元素的原子,该原子要达到8电子稳定结构,则需要的电子数小于其次外层和最内层的电子数之差,且等于最内层电子数的整数倍。下列说法正确的是(  )
A.X元素最高价氧化物对应的水化物一定是强酸
B.X元素的氢化物的化学式一定为H2X
C.X的单质一定是良好的半导体材料
D.X元素的氧化物一定能与烧碱反应
D
第三周期元素的次外层有8个电子,最内层有2个电子,二者之差为6。因为该原子达到8电子稳定结构需要的电子数小于6,则需要的电子数为2或4。若为2,则X为S;若为4,则X为Si,硅酸为弱酸,A错;硅的氢化物为SiH4,B错;S单质不能作半导体材料,C错;SO2、SO3和SiO2都能与烧碱反应,D正确。
练习册系列答案
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氧化铝(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。
(1)Al与NaOH溶液反应的离子方程式为                                    
(2)下列实验能比较镁和铝的金属性强弱的是           (填序号)。
a.测定镁和铝的导电性强弱
b.测定等物质的量浓度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH
c.向0.1 mol/LAlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加过量NaOH溶液
(3)铝热法是常用的金属冶炼方法之一。
已知:4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)   ΔH1 =" -3352" kJ/mol
Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)    ΔH2 =" -521" kJ/mol
Al与MnO2反应冶炼金属Mn的热化学方程式是                            
(4)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,其反应方程式为                                          
(5)工业上用化学气相沉积法制备氮化硅,其反应如下:3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g)  △H<0  
某温度和压强条件下,分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密闭容器内,进行上述反应,5min达到平衡状态,所得Si3N4(s)的质量是5.60g。
①H2的平均反应速率是         mol/(L·min)。
②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不断扩大加料,SiCl4(g)的转化率应     (填“增大”、“减小”或“不变”)。
(6)298K时,Ksp[Ce(OH)4]=1×10—29。Ce(OH)4的溶度积表达式为Ksp              
为了使溶液中Ce4沉淀完全,即残留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10-5mol·L-1,需调节pH为     以上。

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