题目内容
【题目】砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等,氮、磷、砷位于同一主族,回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga As,第一电离能Ga As。(填“大于”或“小于”)
(3)氮原子的L层中有__________对成对电子,NH4+的立体构型是__________,其中心原子的杂化方式为__________;PCl3属于含有 键的 分子(填“极性”或“非极性”)。
【答案】(1)[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3
(2)大于;小于(3)1;正四面体;sp3;极性;极性
【解析】
试题分析:(1)As是33号元素,则基态As原子的核外电子排布式为[Ar] 3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3;
(2)同周期自左向右原子半径逐渐减小,则原子半径Ga大于As;同周期自左向右第一电离能逐渐增大,则第一电离能Ga小于As。
(3)氮原子的核外电子排布式为1s22s22p3,则L层中有1对成对电子,NH4+中N元素含有的价层电子对数是4,且不存在孤对电子,所以其立体构型是正四面体型,其中心原子的杂化方式为sp3;PCl3是三角锥形结构,属于含有极性键的极性分子。
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