题目内容
【题目】下列说法正确的是：（ ）
①Cl－的结构示意图
②羟基的电子式：
③HClO的结构式：H—Cl—O
④NaHCO3在水中的电离方程式：NaHCO3=Na＋＋H＋＋CO32-
⑤Na2O的水溶液能导电，这不能说明Na2O是电解质
⑥SiO2既能与氢氟酸反应又能与NaOH溶液反应，故SiO2是两性氧化物；
⑦分馏、干馏、裂化都是化学变化（ ）
A. ①②⑤ B. ①④⑥⑦ C. ②③④⑥ D. ②③⑤⑥⑦
【答案】A
【解析】试题分析：①氯离子的核内有17个质子，核外有18个电子，正确；②羟基的电子式
，正确；③HClO的结构式：H—O—Cl，错误；④NaHCO3在水中的电离方程式：NaHCO3＝Na＋＋HCO3-，错误；⑤Na2O的水溶液能导电，这不能说明Na2O是电解质，只有熔融的Na2O导电才可以说明，正确；⑥SiO2既能与氢氟酸反应又能与NaOH溶液反应，但SiO2不是两性氧化物，错误；⑦分馏是物理变化，错误，答案选A。
【题目】根据下列实验操作和现象所得出的结论正确的是
选项 | 实验操作和现象 | 结论 |
A | 向苯酚浊液中滴加Na2CO3溶液，浊液变清 | 苯酚的酸性强于H2CO3的酸性 |
B | 向碘水中加入等体积CCl4，振荡后静置，上层接近无色，下层显紫红色 | I2在CCl4中的溶解度大于在水中的溶解度 |
C | 向CuSO4溶液中加入铁粉，有红色固体析出 | Fe2+的氧化性强于Cu2+的氧化性 |
D | 向NaCl、NaI的混合稀溶液中滴入少量稀AgNO3溶液，有黄色沉淀生成 | Ksp(AgCl) >Ksp(AgI) |
A. A B. B C. C D. D
【题目】现有部分元素的原子结构特点如表：
X | L层电子数是K层电子数的3倍 |
Y | 核外电子层数等于原子序数 |
Z | L层电子数是K层和M层电子数之和 |
W | 最外层电子数是次外层电子数的2.5倍 |
（1）画出W原子结构示意图________________________。
（2）元素X与元素Z相比，非金属性较强的是________(填元素名称)，写出一个能表示X、Z非金属性强弱关系的化学反应方程式：________________________________________。
（3）X、Y、Z、W四种元素形成的一种离子化合物，其水溶液显强酸性，该化合物的化学式为____________________。
（4）元素X和元素Y以原子个数比1∶1化合形成的化合物Q，写出Q的电子式________。元素W和元素Y化合形成的化合物M，Q和M的电子总数相等。以M为燃料，Q为氧化剂，可作火箭推进剂，最终生成无毒的、且在自然界中稳定存在的物质，写出该反应的化学方程式：____________________________________。
【题目】单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450-500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。
相关信息如下：
a.四氯化硅接触水会发生化学反应；
b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；
c.有关物质的物理常数见下表：
物质 | SiCl4 | BC13 | A1C13 | FeCl3 | PCl5 |
沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | － | 315 | － |
熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | － | － | － |
升华温度/℃ | － | － | 180 | 300 | 162 |
请回答下列问题：
（1）写出装置A中发生反应的离子方程式：___________，D中发生反应的化学方程式___________。
（2）A中g管的作用是__________________，装置C中的试剂是___________，作用是___________。
（3）装置E中的h瓶需要冷却的理由是______________________。
（4）装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是___________（填写元素符号）。
（5）过量的氯气可以用石灰乳来处理，请写出该反应的化学方程式_____________________。