题目内容
【题目】在半导体工业中,有一道工序叫烧氢。烧氢的工艺流程如图所示。
工作时,是将石英管D出口处氢气点燃。半导体硅片、焊片和金属零件从石英管口送入加热区,在氢气还原气氛中加热使焊片熔化,将单晶硅与金属零件焊接在一起。焊接后再将零件拉至冷却区,冷却后取出。烧氢工艺中的氢气纯度要求极高,工业氢气虽含氢量达99.9%,但仍含有极微量的水蒸气和氧气,所以点燃氢气前应检验氢气的纯度。试回答下列问题:
(1)装置B的作用是________;B中发生反应的化学方程式是________。
(2)装置C中的物质是________;C的作用是________。
(3)点燃氢气前将E(带导管胶塞)接在D出口处,目的是________。
(4)装置A是安全瓶,可以防止氢气燃烧回火,引起爆炸,其中填充大量纯铜屑的作用是________。
【答案】除去氧气2Cu+O22CuOCuO+H2Cu+H2O无水CaCl2(或碱石灰)吸收水蒸气 便于收集氢气检验氢气纯度大量的铜屑可以吸收热量,降低温度
【解析】
(1)制备半导体材料应在氢气的还原性环境中进行,反应中要杜绝氧气的存在,氢气首先通过热的铜屑,以除去氢气中的氧气,涉及反应有2Cu+O22CuO,CuO+H2Cu+H2O,最终氧气和氢气反应生成水而被除去;
(2)B中生成水,为防止水吸收热量而导致D中温度较低,应在C中用碱石灰或无水氯化钙吸收水;
(3)点燃氢气前将E(带导管胶塞)接在D的出口处,可由于氢气的点燃,可用于检验氢气的纯度,防止氢气不纯而爆炸;
(4)A是安全瓶,填装铜屑,可吸收热量,降低温度,可以防止氢气燃烧回火,引起爆炸。
【题目】在一定温度下,固定体积为2L密闭容器中,发生反应:
2SO2(g)+O2(g)2SO3(g ) ΔH <0,n(SO2)随时间的变化如表:
时间/min | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
n(SO2)/mol | 0.20 | 0.16 | 0.13 | 0.11 | 0.08 | 0.08 |
则下列说法正确的是
A. 当v(SO2)=v(SO3)时,说明该反应已达到平衡状态
B. 用O2表示0~4 min内该反应的平均速率为0.005 mol/(L·min)
C. 平衡时再通入O2,平衡右移,O2转化率减小,SO2转化率增大
D. 若升高温度,则SO2的反应速率会变大,平衡常数K值会增大