题目内容
【题目】砷化硼是一种具有超高热导率的新型半导体材料,其制备原理为。下列说法错误的是( )
A.图a表示结构,分子中成键电子对与孤电子对的数目之比为3:1
B.图b表示晶态单质硼的基本结构单元,该基本结构单元为正二十面体
C.图c表示晶胞结构,原子的配位数为4
D.该反应所涉及的元素中,I的原子半径最大
【答案】A
【解析】
A.结合图a可知,分子中成键电子对数=6,孤电子对数=1×4=4,所以分子中成键电子对与孤电子对的数目之比=6:4=3:2,A错误;
B.由图b可知,单质硼的基本结构单元中上、下、前、后各5个正三角形,所以单质硼的基本结构单元为正二十面体,B正确;
C.As原子的半径比B原子大,图c中较大原子为As原子,由晶胞结构图可知,每个As原子与4个B原子相连,As的配位数为4,C正确;
D.B为第二周期元素,As为第四周期元素,I为第五周期元素,所以反应中所涉及的元素,I的原子半径最大,D正确。
答案选A。
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