题目内容
【题目】NH4HSO4 在分析试剂、医药、电子工业中用途广泛。室温时,向100mL0.lmol·L-1 NH4HSO4 溶液中滴加0.1mol·L-1NaOH溶液,得到的溶液pH 与NaOH 溶液体积的关系曲线如图所示。下列说法正确的是
A. a点溶液中:c(NH4+)+c(H+)=c(Na+) +c(OH-)
B. c点溶液中:c(SO42-)>c(NH3·H2O)>c(NH4+)
C. d点溶液中:c(SO42-) >c(NH4+)>c(OH-)
D. a、b、c、d 四个点中,b点水的电离程度最大
【答案】A
【解析】
通过图像中反应量的关系可知,当氢氧化钠体积为100mL时,向100mL0.lmol·L-1NH4HSO4 溶液中滴加0.1mol·L-1NaOH溶液100 mL,恰好完全反应:NH4HSO4+NaOH=NaNH4SO4+H2O,a点溶液为硫酸钠和硫酸铵;据此进行分析,当氢氧化钠体积为150mL时,c点为硫酸钠、硫酸铵和一水合氨;当氢氧化钠体积在100-150mL之间时,溶液可以为中性,b点为硫酸钠、硫酸铵和一水合氨;当氢氧化钠体积为200mL时,d点为硫酸钠和一水合氨;据以上分析解答。
通过图像中反应量的关系可知,当氢氧化钠体积为100mL时,向100mL0.lmol·L-1NH4HSO4 溶液中滴加0.1mol·L-1NaOH溶液100 mL,恰好完全反应:NH4HSO4+NaOH=NaNH4SO4+H2O,a点溶液为硫酸钠和硫酸铵;据此进行分析,当氢氧化钠体积为150mL时,c点为硫酸钠、硫酸铵和一水合氨;当氢氧化钠体积在100-150mL之间时,溶液可以为中性,b点为硫酸钠、硫酸铵和一水合氨;当氢氧化钠体积为200mL时,d点为硫酸钠和一水合氨;
A. 结合以上分析可知,a点溶液为硫酸钠和硫酸铵,铵根离子水解,所以a点溶液显酸性,溶液中存在电荷守恒:c(NH4+)+c(H+)+c(Na+)=2c(SO42-)+c(OH-);物料守恒:c(Na+)=c(SO42-),所以c(NH4+)+c(H+)=c(Na+) +c(OH-),A正确;
B. 结合以上分析可知,c点溶液含有硫酸钠、硫酸铵和一水合氨,因为一水合氨的电离程度大于铵根离子的水解程度,c(SO42-)>c(NH4+)>c(NH3·H2O),B错误;
C. 结合以上分析可知,d点溶液中含有硫酸钠、一水合氨,溶液显碱性,c(SO42-)>c(OH-)>c(NH4+),C错误;
D.因为加酸和碱抑制水的电离,盐类的水解促进水的电离,所以图中的a、b、c、d 四个点中,a点水的电离程度最大,D错误;
综上所述,本题选A。
【题目】某强酸性无色溶液中可能含下表离子中的若干种离子。
阳离子 | Mg2+、NH4+、Ba2+、Al3+、Fe2+ |
阴离子 | SiO32-、MnO4-、Cl-、NO3-、SO32- |
实验I :取少量该试液进行如下实验。
实验Ⅱ:为了进一步确定该溶液的组成,取100 mL原溶液,向该溶液中滴加1 mol L-l的 NaOH溶液,产生沉淀的质量与氢氧化钠溶液体积的关系如图所示。
回答下列问题:
(1)不进行实验就可以推断出,上表中的离子一定不存在的有___________种。
(2)通过实验I可以确定该溶液中一定存在的阴离子是_____________。检验气体X的方法是______________________;沉淀Z的化学式为_________________。
(3)写出实验Ⅱ的图象中BC段对应的离子方程式:_____________________________________。
(4) A点对应的固体质量为__________g。
(5)通过上述信息,推算该溶液中阴离子的浓度为______________mol L-l。
【题目】第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常称为高温半导体材料。回答下列问题:
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_________________________,第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______,其中σ键的对称方式为___________。与CN—互为等电子体的分子为___________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分,其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________。NF3的空间构型为____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____________;
② GaN的密度为______________________g·cm3(用a、NA表示)。