题目内容
【题目】【化学-选修3：物质结构和性质】 砷的一些化合物常用作半导体、除草剂、杀鼠药等，回答下列问题：
（1）写出基态砷原子的电子排布式_________________；有_________________个未成对电子。
（2）稼氮砷合金材料的太阳能电池效率达40%。Ga、N、As电负性由大到小的顺序是____________；
（3）As4O6的分子结构如图所示，其中As原子的杂化方式为______________，1mol As4O6含有
键的物质的量为____________mol。
（4）As与N是同族元素，AsH3的沸点比NH3的沸点 ，原因是 。
（5）H3AsO4和H3AsO3是砷的两种含氧酸，根据结构与性质的关系，H3AsO4的酸性比H3AsO3强的原因是： 。
（6）晶胞有两个基本要素
①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，LiZnAs基稀磁半导体的晶胞如图所示，其中原子坐标参数A处Li为(0，0，1/2)；B处As为(1/4，1/4，1/4)；C处Li的坐标参数为 。
②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状，已知LiZnAs单晶的晶胞参数，a=594pm，NA表示阿伏伽德罗常数的数值，其密度为 gcm-3(列出计算式即可)。
【答案】
（1）[Ar]3d104s24p3；3；
（2）N>As>Ga；（3）sp3；12；
（4）低；AsH3分子间不能形成氢键，而NH3分子间能形成氢键；
（5）H3AsO4和H3AsO3可分别表示为(HO)3AsO和(HO)3As，H3AsO3中的As为+3价，而H3AsO4中的As为+5价，正电性更高，导致As-O-H中O的电子向As偏移，更易电离出H+离子；
（6）①
；②
；
【解析】
试题分析：（1）As的原子序数为33，由构造原理可知电子排布为1s22s22p63s23p63d104s24p3，有3个未成对电子，故答案为1s22s22p63s23p63d104s24p3；3；
（2）同周期随原子序数递增电负性增大，Ga和As同周期，As的原子序数较大，故电负性较大的是As；As处于ⅤA族，同主族元素，随原子序数递增电负性减小，Ga、N、As电负性由大到小的顺序N>As>Ga，故答案为：N>As>Ga；
（3）根据结构示意图，As的价层电子对数=3+1=4，采用sp3杂化，1mol As4O6含有
键的物质的量为3×4mol=12mol，故答案为：sp3；12；
（4）AsH3和NH3形成的晶体均是分子晶体，其沸点受分子间作用力大小的影响，对于组成和结构相似的物质分子间作用力和其相对原子质量成正比，能够形成氢键的沸点升高，NH3分子间能形成氢键，AsH3分子间不能形成氢键，因此AsH3的沸点比NH3的沸点低，故答案为：低；AsH3分子间不能形成氢键，而NH3分子间能形成氢键；
（5）H3AsO4和H3AsO3可表示为(HO)3AsO和(HO)3 As，H3AsO3中的As为+3价，而H3AsO4中非羟基氧较多、As为+5价，正电性更高，导致As-O-H中的O的电子更向As偏移，越易电离出H+，故答案为：H3AsO4和H3AsO3可表示为(HO)3AsO和(HO)3 As，H3AsO3中的As为+3价，而H3AsO4中非羟基氧较多、As为+5价，正电性更高，导致As-O-H中的O的电子更向As偏移，越易电离出H+；
（6）①D与周围4个原子形成正四面体结构，D与顶点A的连线处于晶胞体对角线上，过面心B、C及上底面面心原子的平面且平行侧面将晶胞2等分，同理过D原子的且平平行侧面的平面将半个晶胞再2等份，可知D处于到各个面的
处，则C原子的坐标参数为(
，，)，故答案为：(，，)；
②1个晶胞中分别含有4个Li、Zn、As原子，1mol晶胞的质量为4×147g，1mol晶胞的体积为 (594×10-10)3NAcm3，则密度为gcm-3，故答案为：。
