题目内容
(三选一)【化学——选修物质结构与性质】
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中,GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有___________的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:
(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 _________。在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_________。在四大晶体类型中,GaN属于_________晶体。
(2)铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有___________的原子或离子
(3)CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:
请回答下列问题:
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO2分子的空间构型为__________。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为_________
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为____________。
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是___________。
②SO2分子的空间构型为__________。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为_________
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为__________。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是____________。
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有___________。
a.配位键 b.极性键 c.离子键 d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图所示,其中Cl原子的配位数为____________。
(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1);正四面体;原子晶体
(2)能够接受孤电子对的空轨道
(3)① O >N >H
②V形 ; SO42-、SiO44-等
③sp3杂化 ;乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键
④abd
⑤4
(2)能够接受孤电子对的空轨道
(3)① O >N >H
②V形 ; SO42-、SiO44-等
③sp3杂化 ;乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键
④abd
⑤4
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