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【题目】铜铟镓硒薄膜太阳能电池(GIGS)是第三代太阳能电池的典型代表,已成为全球光伏领域研究的热点之一,回答下列问题:

(1)镓(Ga)价电子排布式为______,镓(Ga)与铟(In)同主族第一电离能较小的为______(用元素符号表示)。

(2)硒属于_______区元素。O、S、Se简单氢化物稳定性由強到弱的顺序为______,中心原子的杂化方式为___________,键角最大的是_____________

(3)已知N-N、N=N键能之比为l:4.9,而C-C、C=C键能之比为1:2.34。则N2和C2H2中叁键能较大的是__________ (填化学式)。

(4)某晶体的晶胞结构如图所示(在该晶体中通过掺入适量的Ga以替代部分In就可以形GIGS晶体),该晶体的化学式为__________

图中A原子和B原子坐标(分别为(0,0,0),(0,0, ),则C原子坐标为_________

【答案】 4S24P1 In P H2O>H2S>H2Se SP3 H2O N2 CuInSe2 (1/4,3/4,1/8)

【解析】 (1)(Ga)价电子排布式为4S24P1,镓(Ga)与铟(In)同主族铟的金属性较强,故第一电离能较小的为In

(2)硒的价电子排布为4S24P4故其属于P区元素。OSSe的非金属性依次减弱,故 其简单氢化物稳定性由強到弱的顺序为H2OH2SH2Se中心原子的杂化方式为SP3因为O的电负性较大,价电子对偏向于中心原子,价电子对之间的斥力增加故键角最大的是H2O

(3)因为C的原子半径大于N所以碳碳叁键的键长大于氮氮叁键,则N2C2H2中叁键键能较大的是N2

(4)由晶胞图可知该晶胞中含有Cu原子数为In原子数为Se原子数为83种原子个数比为1:1:2所以该晶体的化学式为CuInSe2

该晶胞由两个立方组成, C位于其中一个立方体内的八分之一立方(左下外侧的)的体心。由A原子和B原子坐标(分别为(0,0,0)(0,0, )可知晶胞的底边为1高为2C原子坐标为1/43/41/8)。

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