题目内容
镓(Ga)、锗( Ge)、砷(As)、硒(Se)均为第四周期的元素,它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题:
(1)下列说法不正确的是(选填序号) 。
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3反应制备得到,该反应在700℃进行,反应的方程式为 ,AsH3空间形状为 。
(3)Ge的核外电子排布式为 ,H2 Se中硒原子的杂化方式为 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: 。
(1)下列说法不正确的是(选填序号) 。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 |
B.第一电离能:Se >As> Ge> Ga |
C.镓、锗、砷、硒都属于p区元素 |
D.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体 |
(3)Ge的核外电子排布式为 ,H2 Se中硒原子的杂化方式为 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: 。
(1)AB (2)(CH3)3Ga +AsH3 GaAs+ 3CH4 三角锥
(3)1s2p62s22p63s23p63d104s24p2 sp3 (4)NH3分子间存在氢键
(3)1s2p62s22p63s23p63d104s24p2 sp3 (4)NH3分子间存在氢键
试题分析:(1)A、NaCl晶胞中配位数是6,该晶胞中配位数是4,故晶胞结构不同,错误;B、第ⅥA族元素最外层电子排布为ns2np3,为半满的稳定结构,第一电离能大于相邻的同周期元素,错误;D、原子数相同,最外层电子总数相同,故为等电子体,正确。(2)AsH3为sp3杂化,有一对孤电子对,故为三角锥型;(4)NH3分子间存在氢键,溶沸点高。
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