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若5秒内通过某导体横截面的电荷量为3库,导体两端的电压为3伏,则通过该导体的电流为  安,电流做功为     焦。当通过该导体的电流为0安时,其电阻为     欧。
0.6、 9、5

试题分析:5秒内通过某导体横截面的电荷量为3库,导体两端的电压为3伏,则通过该导体的电流为:由公式:I=Q/t=3C/5s=0.6A安,电流做功为:W=UIt=3V×0.6A×5s=9J。当通过该导体的电流为0安时,其电阻为:R=U/I=3V/0.6A=5欧。
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巨磁电阻效应
1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现,在铁、铬相间的三层复合膜电阻中(如图甲),微弱的磁
场可以导致电阻大小的急剧变化,这种现象被命名为“巨磁电阻效应”.
更多的实验发现,并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”.组成三层膜的两
种金属中,有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种,另一种是不易被磁化的其他金属,才可能产生“巨磁电阻效应”.
进一步研究表明,“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时.用R0表示未加磁场时的电阻,R表示加入磁场后的电阻,科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R0之比与膜层厚度d(三层膜厚度均相同)的关系如乙图所示.
1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理,利用铁、铬组成的复合膜研制出“新型读出磁头”,将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息.

(1)以下两种金属组成的三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是     
A.铜、银B.铁、铜C.铜、铝D.铁、镍
(2)对铁、铬组成的复合膜,当膜层厚度是2.2nm时,这种复合膜电阻    (选填“具有”或“不具有”)“巨磁电阻效应”.
(3)丙图是硬盘某区域磁记录的分布情况,其中1表示有磁区域,0表示无磁区域,将“新型读出磁头”组成如图所示电路,当磁头从左向右匀速经过该区域过程中,电流表读数变化情况应是丁图中的     

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