为了测量某电池的电动势E(约为3V)和内阻r,可供选择的器材如下:
A.电流表G1(2mA 100Ω)
B.电流表G2(1mA 内阻未知)
C.电阻箱R1(0~999.9Ω)
D.电阻箱R2(0~9999Ω)
E.滑动变阻器R3(0~10Ω 1A)
F.滑动变阻器R4(0~1 000Ω 10mA)
G.定值电阻R(800Ω 0.1A)
H.待测电池
I.导线、电键若干
(1)采用如图1所示的电路,测定电流表G2的内阻,得到电流表G1的示数I1、电流表G2的示数I2如下表所示:
根据测量数据,请在图2坐标中描点作出I1-I2图线.由图得到电流表G2的内阻等于______Ω.
(2)在现有器材的条件下,测量该电池的电动势和内阻,采用如图3所示的电路,图中滑动变阻器①应该选用给定的器材中______,电阻箱②选______(均填写器材代号).
(3)根据图3所示电路,请在图4中用笔画线代替导线,完成实物电路的连接.

A.电流表G1(2mA 100Ω)
B.电流表G2(1mA 内阻未知)
C.电阻箱R1(0~999.9Ω)
D.电阻箱R2(0~9999Ω)
E.滑动变阻器R3(0~10Ω 1A)
F.滑动变阻器R4(0~1 000Ω 10mA)
G.定值电阻R(800Ω 0.1A)
H.待测电池
I.导线、电键若干
(1)采用如图1所示的电路,测定电流表G2的内阻,得到电流表G1的示数I1、电流表G2的示数I2如下表所示:
| I1(mA) | 0.40 | 0.81 | 1.20 | 1.59 | 2.00 |
| I2(mA) | 0.20 | 0.40 | 0.60 | 0.80 | 1.00 |
(2)在现有器材的条件下,测量该电池的电动势和内阻,采用如图3所示的电路,图中滑动变阻器①应该选用给定的器材中______,电阻箱②选______(均填写器材代号).
(3)根据图3所示电路,请在图4中用笔画线代替导线,完成实物电路的连接.
(1)在测定金属电阻率的实验中,用螺旋测微器测量一金属丝的直径,螺旋测微器的示数如图所示,该金属丝的直径为______.用欧姆表粗略测得该金属丝的电阻约为2Ω,另外,实验室内还提供了下列器材供重新测定该金属丝的电阻使用:
A.电源E(电动势为3.0V,内阻不计)
B.电压表V(量程为0~3.0V,内阻约为2kΩ)
C.电流表A(量程为0~0.6A,内阻约为1Ω)
D.滑动变阻器R(最大阻值10Ω,额定电流2.0A)
E.开关S一个,导线若干
为获得尽可能高的实验精度,请你利用上述器材设计一个测定金属丝电阻的实验电路,并把实验原理图画出来.
(2)为研究某一电学元件的导电规律,将该元件两端的电压、元件中的电流及通电时间记录在下表中,通过分析表中数据可以判断出该元件所用的材料是______(填“金属”或“半导体”).
(3)如图甲是某金属材料制成的电阻R随摄氏温度t变化的图象,图中R表示0℃时的电阻,k表示图线的斜率.若用该电阻与电池(电动势E、内阻r)、电流表A(内阻Rg)、滑动变阻器R′串联起来,连接成如图乙所示的电路,用该电阻做测温探头,把电流表的电流刻度改为相应的温度刻度,就得到了一个简单的“金属电阻温度计”.使用“金属电阻温度计”前,先要把电流表的刻度值改为相应的温度刻度值,若温度t1<t2,则t1的刻度应在t2的______侧(填“左”或“右”);在标识“金属电阻温度计”的温度刻度时,需要弄清所测温度和电流的对应关系.请用E、R、k等物理量表示所测温度t与电流I的关系式t=______.

0 64482 64490 64496 64500 64506 64508 64512 64518 64520 64526 64532 64536 64538 64542 64548 64550 64556 64560 64562 64566 64568 64572 64574 64576 64577 64578 64580 64581 64582 64584 64586 64590 64592 64596 64598 64602 64608 64610 64616 64620 64622 64626 64632 64638 64640 64646 64650 64652 64658 64662 64668 64676 176998
A.电源E(电动势为3.0V,内阻不计)
B.电压表V(量程为0~3.0V,内阻约为2kΩ)
C.电流表A(量程为0~0.6A,内阻约为1Ω)
D.滑动变阻器R(最大阻值10Ω,额定电流2.0A)
E.开关S一个,导线若干
为获得尽可能高的实验精度,请你利用上述器材设计一个测定金属丝电阻的实验电路,并把实验原理图画出来.
(2)为研究某一电学元件的导电规律,将该元件两端的电压、元件中的电流及通电时间记录在下表中,通过分析表中数据可以判断出该元件所用的材料是______(填“金属”或“半导体”).
| 通电时间 t/s | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 |
| 电压 u/v | 0.40 | 0.62 | 1.02 | 1.26 | 1.52 | 1.64 |
| 电流 i/m A | 0.20 | 0.43 | 0.81 | 1.82 | 2.81 | 3.22 |