| A、上侧面比下侧面电势高 | ||
| B、上侧面比下侧面电势低 | ||
C、磁感应强度B=
| ||
D、磁感应强度B=
|
| A、把温度这个热学量转换成电阻这个电学量 | B、把磁感应强度这个磁学量转换成电压这个电学量 | C、M点的电势比N点的电势高 | D、N点的电势比M点的电势高 |
| A、将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面,UH将变大 | B、在测定地球两极的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持与地面垂直 | C、在测定地球赤道上的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持水平 | D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角,UH将会发生变化 |
| A、污水流动过程中,前金属电极表面比后金属电极表面电势高 | B、污水流动过程中,前金属电极表面比后金属电极表面电势低 | C、污水流量Q与U成正比 | D、污水流量Q与U2成正比 |
| A、电势差UCD仅与材料有关 | B、若霍尔元件的载流子是自由电子,则电势差UCD<0 | C、仅增大C、D间的宽度(B,I不变)时,电势差UCD变大 | D、在测定地球赤道上方的地磁场强弱时,元件的工作面应保持水平 |
| A、若污水中负离子较多,则前内侧面比后内侧面电势高 | ||
| B、若污水中正离子较多,则前内侧面比后内侧面电势高 | ||
C、污水的流速v=
| ||
| D、污水流量Q只与B、U、c有关 |
| A、MN两端电压UMN仅与磁感应强度B有关 | B、已知该霍尔元件形成电流的自由电荷是电子,则MN两端电压UMN<0 | C、若增大霍尔元件宽度d,则MN两端电压UMN一定增大 | D、通过控制磁感应强度B可以改变MN两端电压UMN |
| A、40 m/s | B、4 m/s | C、0.4 m/s | D、4×10-3m/s |
( )
A、是N型半导体,n=
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B、是P型半导体,n=
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C、是N型半导体,n=
| ||
D、是P型半导体,n=
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| A、将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时,将变大 | B、在测定地球两极的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持水平 | C、在测定地球赤道上的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持水平 | D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角,UH将发生变化 |