19.两个相同的带电金属小球,带电量分别为+3q和+7q,小球半径远小于两球心的距离r.将它们接触后放回原处,则此时的静电力大小为( )
| A. | k$\frac{10{q}^{2}}{{r}^{2}}$ | B. | k$\frac{16{q}^{2}}{{r}^{2}}$ | C. | k$\frac{21{q}^{2}}{{r}^{2}}$ | D. | k$\frac{25{q}^{2}}{{r}^{2}}$ |
18.
如图所示,绝缘细线上端固定,下端悬挂一轻质带电小球N,当带同种电荷的金属球M固定在N近旁的绝缘支架上时,悬挂N的细线与竖直方向的夹角为θ,则下列说法正确的是( )
| A. | 仅将M的电荷量增大,θ不变 | B. | 仅将M的电荷量增大,θ变小 | ||
| C. | 仅将支架沿水平地面移近N,θ变小 | D. | 仅将支架沿水平地面移近N,θ变大 |
17.
如图所示,一木箱原来悬停在空中,其水平箱底上放一物体,受到一个伸长的弹簧的拉力作用,但仍能保持与木箱相对静止.现突然发现物体被弹簧拉动,则可以判定木箱的运动状态可能是( )
| A. | 加速上升 | B. | 加速下降 | C. | 加速向左 | D. | 加速向右 |
15.
如图所示,质量分别为mA、mB的A、B两小车静止在光滑的水平面上,A车上有一质量为m的人向右跳到B车上,并与B车一起运动.则人跳到B车后,A、B两车的速度大小之比为( )
| A. | $\frac{{m}_{A}}{m+{m}_{B}}$ | B. | $\frac{{m}_{B}}{m+{m}_{A}}$ | C. | $\frac{m+{m}_{B}}{{m}_{A}}$ | D. | $\frac{m+{m}_{A}}{{m}_{B}}$ |
14.关于原子与原子核,下列说法正确的是( )
| A. | 太阳内部发生的主要核反应是裂变反应 | |
| B. | 原子核发生一次β衰变,该原子外层就失去一个电子 | |
| C. | 某原子核经过一次α衰变和两次β衰变后,核内质子数减少4个 | |
| D. | 氢原子核外电子从低轨道跃迁到高轨道时,电子动能减小,原子能量增大 |
13.星球的第二宇宙速度v2与第一宇宙速度v1的大小关系是v2=$\sqrt{2}$v1.已知某星球的半径为地球的2倍,质量也为地球的2倍,地球半径为R,地球表面的重力加速度为g.则该星球的第二宇宙速度为( )
| A. | $\sqrt{\frac{1}{2}gR}$ | B. | $\frac{1}{2}$$\sqrt{gR}$ | C. | $\sqrt{2gR}$ | D. | 2$\sqrt{gR}$ |
12.
如图所示,在一个配有活塞的厚玻璃筒内放一小团硝化棉,迅速下压活塞,硝化棉燃烧.下列说法正确的是( )
| A. | 气体对外界做正功,气体内能增加 | B. | 外界对气体做正功,气体内能增加 | ||
| C. | 气体的温度升高,压强变大 | D. | 气体的体积减小,压强不变 |
11.
如图所示,一架质量m=8.0×103 kg的战机,从静止开始在机场的跑道上滑行,经过距离x=4.0×102 m,达到起飞速度v=80m/s.在这个过程中飞机受到的平均阻力是1.0×104.g取10m/s2,则( )
| A. | 飞机起飞时的加速度为6.4 m/s2 | |
| B. | 飞机起飞时的加速度为8.0 m/s2 | |
| C. | 飞机起飞时受到的牵引力为6.4×104N | |
| D. | 飞机起飞时受到的牵引力为7.4×104N |
10.下列说法正确的是( )
0 138214 138222 138228 138232 138238 138240 138244 138250 138252 138258 138264 138268 138270 138274 138280 138282 138288 138292 138294 138298 138300 138304 138306 138308 138309 138310 138312 138313 138314 138316 138318 138322 138324 138328 138330 138334 138340 138342 138348 138352 138354 138358 138364 138370 138372 138378 138382 138384 138390 138394 138400 138408 176998
| A. | 一定质量的气体在体积不变时,分子每秒与器壁平均碰撞次数随着温度降低而减小 | |
| B. | 空调既能制热又能制冷,说明在不自发的条件下热传递方向性可以逆向 | |
| C. | 外界对气体做功时,其内能一定会增大 | |
| D. | 生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺入其他元素,可以在高温条件下利用分子的扩散来完成 |