15.
如图相距为L的两光滑平行导轨,平行放置在倾角为θ的斜面上,导轨的右端接有电阻R(轨道电阻不计),斜面处在一匀强磁场B中,磁场方向垂直于斜面向上,质量为m,电阻为R的金属棒ab放在导轨上,与导轨接触良好,由静止释放,下滑距离s后速度最大,则( )
| A. | 下滑过程电阻R消耗的最大功率为$\frac{{m}^{2}{g}^{2}si{n}^{2}θ}{{B}^{2}{L}^{2}}$R | |
| B. | 下滑过程电阻R消耗的最大功率为$\frac{3{m}^{2}{g}^{2}si{n}^{2}θ}{{B}^{2}{L}^{2}}$R | |
| C. | 下滑过程重力做功为mgssinθ | |
| D. | 下滑过程克服安培力做的功为$\frac{9{m}^{3}{g}^{2}si{n}^{2}θ}{2{B}^{4}{L}^{4}}$R2 |
12.
如图,电阻不计的平行金属导轨与水平面成θ角,导轨与定值电阻R1和R2相连,匀强磁场垂直穿过整个导轨平面.有一导体棒ab,质量为m,其电阻R0与定值电阻R1和R2的阻值均相等,与导轨之间的动摩擦因数为μ.若使导体棒ab沿导轨向上滑动,当上滑的速度为v时,受到的安培力大小为F,此时( )
| A. | 电阻R1的发热功率为$\frac{Fv}{3}$ | |
| B. | 电阻R0的发热功率为$\frac{Fv}{3}$ | |
| C. | 整个装置因摩擦而产生的热功率为μmgv•cosθ | |
| D. | 导体棒ab所受的安培力方向竖直向下 |
8.如图所示,用相同导线制成的边长为L或2L的四个单匝闭合回路,它们以相同的速度先后垂直穿过正方向匀强磁场区域,磁场方向垂直纸面向外,区域宽度大于2L,则在回路进入磁场的过程中,电流相等的回路是( )
0 137793 137801 137807 137811 137817 137819 137823 137829 137831 137837 137843 137847 137849 137853 137859 137861 137867 137871 137873 137877 137879 137883 137885 137887 137888 137889 137891 137892 137893 137895 137897 137901 137903 137907 137909 137913 137919 137921 137927 137931 137933 137937 137943 137949 137951 137957 137961 137963 137969 137973 137979 137987 176998
| A. | 甲和乙 | B. | 乙和丙 | C. | 丙和丁 | D. | 甲和丁 |