题目内容

11．为了保护磁卡或带有磁条的存折上的信息，下列说法错误的是（　　）
A．应注意磁卡或带有磁条的存折不放在高温环境中
B．不能将磁卡或带有磁条的存折靠近产生强磁场的家用电器旁边
C．不能将磁卡或带有磁条的存折折叠放置
D．不能用手触摸磁卡，特别是不要触摸背面的黑条，以免弄脏

分析 磁卡内部的分子电流的排布按一定的规律进行的，但在剧烈敲打时，高温，靠近磁体时分子电流的排布重新变的杂乱无章，磁卡所带信息消失．

解答 解：磁卡内部的分子电流的排布按一定的规律进行的，但在剧烈敲打时，分子电流的排布重新变的杂乱无章，每个分子电流产生的磁场相互抵消，故对外不显磁性，所带信息消失，
A、高温会是分子电流变得杂乱无章，所以磁卡或带有磁条的存折不放在高温环境中，故A正确．
B、强磁场会改变分子电流的分布特点，所以要放在远离强磁场的地方，故B正确．
C、将磁卡或带有磁条的存折折叠会使一部分信息丢失，所以不能将磁卡或带有磁条的存折折叠放置，故C正确．
D、用手触摸磁卡，不会使磁卡所带信息消失，故D错误．
本题选择错误的，故选：D．

点评 掌握了安培的分子电流假说的内容即可顺利解决此类题目，所以要加强对基本概念的学习．

练习册系列答案
相关题目
1．如图为用频闪摄影方法拍摄的小球作平抛运动的照片，小球在运动过程中的几个位置如图中的a、b、c、d所示．下列说法正确的是（　　）
A．若已知小方格的边长，可求得平抛的初速度
B．若已知小方格的边长，可求得频闪周期
C．若已知小方格的边长和当地的重力加速度，可求得a、b、c、d任一点的速度
D．若已知小方格的边长和频闪周期，不可以求得当地的重力加速度
2．如图所示，研究平抛运动规律的实验装置放置在水平桌面上，利用光电门传感器和碰撞传感器可以测得小球的水平初速度v0和飞行时间t，底板上的标尺可以测得水平位移d，控制斜槽轨道的水平槽口高度h不变，让小球从斜槽的不同高度处滚下，以不同的速度冲出水平槽口，以下说法正确的是（　　）
A．飞行时间t与初速度v0成正比
B．飞行时间t与初速度v0大小无关
C．落地点的水平距离d与初速度v0成反比
D．落地点的水平距离d与初速度v0成正比
19．用两条细绳把一个镜框悬挂在墙上，在如图所示的四种挂法中，单独一根细绳对镜框拉力最小的是（　　）
A．B．C．D．
6．汽车的质量是m，发动机的额定功率为P，汽车与路面的动摩擦因数为μ，则汽车在平直的路面上行驶的最大速度为多少？当汽车以v的速度匀速行驶时，汽车的实际功率多大？
16．下列说法中正确的是（　　）
A．在电路中电流所做的功就是电场力对电荷所做的功，电流所做的功只能转化为热能
B．带电粒子在磁场中一定受到洛仑兹力的作用，洛仑兹力不做功，但是可以改变物体的运动状态
C．通电直导线在磁场中会受到安培力的作用，安培力的方向总是垂直于磁感应强度和导线所确定的平面
D．带电粒子射入电场中，一定会受到电场力的作用
3．如图所示，某人沿3条不同的路径由A走到B，问沿哪条路径运动时的位移较大（　　）
A．都一样大B．沿1较大C．沿3较大D．沿2较大
20．如图所示电路中，R为电阻箱，电源的电动势为E，内阻为r．当调节电阻箱使外电阻分别为R1、R2时，其功率相等．此时对应的电流分别为I1、I2，电路中对应的电源效率分别为η1、η2，下列说法中正确的是（　　）
A．I1+I2＞$\frac{E}{r}$B．I1+I2=$\frac{E}{r}$C．η1+η2=1D．I1R1+I2R2=E
1．如图所示，实线表示某点电荷产生的电场线，虚线表示该电场的等势面，且1、2两点之间的距离等于3、4两点之间的距离．下列判断正确的是（　　）
A．2、3两点的场强相同
B．电子在1点的电势能小于在3点的电势能
C．1、2两点之间的电势差等于3、4两点之间的电势差
D．把一正试探电荷从2移到4再移到3，电场力一直不做功

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