题目内容
19.如图所示为三个有界匀强磁场,磁感应强度大小均为B,方向分别垂直纸面向外、向里和向外,磁场宽度均为L,在磁场区域的左侧边界处有一边长为L的正方形导体线框,总电阻为R,且线框平面与磁场方向垂直.现用外力F使线框以速度v匀速穿过磁场区域,以初始位置为计时起点,规定外力F向右为正.画出外力F随时间变化规律的图象分析 根据切割产生的感应电动势公式求出电动势的大小,结合欧姆定律和安培力公式求出安培力的大小,从而得出外力F的大小,根据右手定则判断出感应电流的方向,结合左手定则判断出安培力的方向,从而确定外力F的方向.
解答
解:在0~$\frac{L}{v}$内,只有一条边切割,产生的电动势E=BLv,线框所受的安培力${F}_{A}=BIL=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向左,则外力F=${F}_{A}=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向右.
在$\frac{L}{v}-\frac{3L}{v}$内,有两条边切割,产生的感应电动势E=2BLv,线框所受的安培力${F}_{A}=2BIL=\frac{4{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向左,则外力F=${F}_{A}=\frac{4{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向右.
在$\frac{3L}{v}-\frac{4L}{v}$内,只有一条边切割,产生的电动势E=BLv,线框所受的安培力${F}_{A}=BIL=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向左,则外力F=${F}_{A}=\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,方向向右.
F随t的时间变化规律如图所示.
答:外力F随时间变化规律的图象如图所示.
点评 此题电磁感应中图象的问题,近几年高考中出现的较为频繁,解答本题关键要掌握法拉第电磁感应定律、欧姆定律、楞次定律、安培力公式等等知识,要知道当线框左右两边都切割磁感线时,两个感应电动势方向相同,是串联关系.
练习册系列答案
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12.下列对理想气体的理解正确的是( )
| A. | 理想气体的压强是由气体分子间斥力产生的 | |
| B. | 只要气体压强不是很大就可视为理想气体 | |
| C. | 容积不变的密闭容器内的理想气体随着温度的升高,其压强增大,内能增大 | |
| D. | 一定质量的理想气体对外界做功时,它的内能有可能增大 | |
| E. | 理想气体实际上并不存在,只是一种理想模型 |
13.长木板A放在光滑的水平面上,质量为m=4kg的物体B以水平速度v0=2m/s滑上原来静止的长木板A的表面,由于A、B间存在摩擦,A、B速度随时间变化情况如图所示,则下列说法正确的是( )

| A. | 木板获得的动能为2J | B. | 系统损失的机械能为6J | ||
| C. | 木板A的最小长度为2m | D. | A、B间的动摩擦因数为0.2 |
14.
如图所示,在水平面上有两条导电导轨MN、PQ,导轨间距为d,足够大区域的匀强磁场垂直于导轨所在的平面向里,磁感应强度的大小为B,两根完全相同的金属杆1、2间隔一定的距离摆开放在导轨上,且与导轨垂直.它们的电阻均为R,两杆与导轨接触良好,导轨电阻不计,金属杆的摩擦不计.杆2不固定,杆1以初速度v0滑向杆2,为使两杆不相碰,最初摆放两杆时的距离可以为( )
| A. | $\frac{mR{v}_{0}}{{B}^{2}{d}^{2}}$ | B. | $\frac{mR{v}_{0}}{2{B}^{2}{d}^{2}}$ | C. | $\frac{2mR{v}_{0}}{{B}^{2}{d}^{2}}$ | D. | $\frac{mR{v}_{0}}{4{B}^{2}{d}^{2}}$ |
11.
真空中有一竖直向上的匀强电场,其场强大小为E,电场中的A、B两点固定着两个等量异号点电荷+Q、-Q,A、B两点的连线水平,O为其连线的中点,c、d是两点电荷连线垂直平分钱上的两点,Oc=Od,a、b两点在两点电荷的连线上,且Oa=Ob.下列判断正确的是( )
| A. | a、b两点的电场强度相同 | |
| B. | c点的电势比d点的电势低 | |
| C. | 将电子从a点移到c点的过程中,电场力对电子做负功 | |
| D. | 将电子从a点移到b点时其电势能减小 |
8.
一个静止的放射性同位素的原子核${\;}_{15}^{30}$P衰变为${\;}_{14}^{30}$Si,另一个静止的天然放射性元素的原子核${\;}_{90}^{234}$Th衰变为${\;}_{91}^{234}$Pa,在同一磁场中,得到衰变后粒子的运动径迹1、2、3、4,如图所示,则这四条径迹依次是( )
| A. | 图中1、2为${\;}_{90}^{234}$Th衰变产生的${\;}_{91}^{234}$Pa和${\;}_{-1}^{0}$e的轨迹,其中1是电子${\;}_{-1}^{0}$e的轨迹 | |
| B. | 图中1、2为${\;}_{15}^{30}$P衰变产生的${\;}_{14}^{30}$Si和${\;}_{1}^{0}$e的轨迹,其中2是正电子${\;}_{1}^{0}$e的轨迹 | |
| C. | 图中3、4是${\;}_{15}^{30}$P衰变产生的${\;}_{14}^{30}$Si和${\;}_{1}^{0}$e的轨迹,其中3是正电子${\;}_{1}^{0}$e的轨迹 | |
| D. | 图中3、4轨迹中两粒子在磁场中旋转方向相反 |