题目内容

有图6-45中给出t=0时的平面简谐波的图象和x=0处的质元的振动图象.由图象求:

图6-45

(1)这列波的波长;

(2)这列波在介质中的波速;

(3)平衡位置的坐标在(-20,+20)之间的哪些质元与x=0的质元振动方向总相反.

思路解析:(1)由波的图象可知波长λ=12 m.

(2)由振动图象可知波的周期T=12 s,波速v==1.0 m/s.

(3)与x=0的质元振动方向总相反的质元的平衡位置跟x=0点的距离等于半波长的奇数倍,即x=(n+)λ,n=0,±1,±2,±3,……

解得x=-18,-6,6,18(m).

答案:(1)λ=12 m  (2)v=1.0 m/s (3)x=-18,-6,6,18(m)的质元


练习册系列答案
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2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家.材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度.
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值.为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB.请按要求完成下列实验.精英家教网
(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响).要求误差较小.提供的器材如下:
A.磁敏电阻,无磁场时阻值R0=150Ω
B.滑动变阻器R,全电阻约20Ω
C.电流表A,量程2.5mA,内阻约30Ω
D.电压表V,量程3V,内阻约3KΩ
E.直流电源E,电动势3V,内阻不计
F.开关S,导线若干
(2)正确连线后,将磁敏电阻置于待测磁场中,测量数据如下表:
1 2 3 4 5 6
U (V) 0.00 0.45 0.92 1.50 1.79 2.71
A (mA) 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=
 
,结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=
 
T.
(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?
(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度。

  若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RBRO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响)。要求误差较小。

     提供的器材如下:

     A.磁敏电阻,无磁场时阻值

     B.滑动变阻器R,全电阻约

     C.电流表,量程2.5mA,内阻约

     D.电压表,量程3V,内阻约3k

     E.直流电源E,电动势3V,内阻不计

     F.开关S,导线若干

(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.71

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ,结合图1可知待测磁场的磁感

应强度B=           T。

(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?

(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家.材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度.
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线,其中RB、R0分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值.为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB.请按要求完成下列实验.
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(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路图,在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响).要求误差较小.提供的器材如下:
A.磁敏电阻,无磁场时阻值R0=150Ω
B.滑动变阻器R,全电阻约20Ω
C.电流表A,量程2.5mA,内阻约30Ω
D.电压表V,量程3V,内阻约3KΩ
E.直流电源E,电动势3V,内阻不计
F.开关S,导线若干
(2)正确连线后,将磁敏电阻置于待测磁场中,测量数据如下表:
1 2 3 4 5 6
U (V) 0.00 0.45 0.92 1.50 1.79 2.71
A (mA) 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=______,结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=______T.
(3)试结合图1简要回答,磁感应强度B在0~0.2T和0.4~1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同?
(4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称),由图线可以得到什么结论?

2007年诺贝尔物理学奖予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家.材料的电阻随磁场的增强而增大的现象称为磁阻效应,利用这种效应可以测量磁感应强度.若图10—24为某磁敏电阻在室温下的电阻—磁感应强度特性曲线,其中RB、Ro分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值.为了测量磁感应强度B,需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB.请按要求完成下列实验.

(1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路,在图10—25的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出,待测磁场磁感应强度大小约为0.6~1.0T,不考虑磁场对电路其他部分的影响).要求误差较小.

提供的器材如下:

A.磁敏电阻,无磁场时阻值Ro=150Ω

B.滑动变阻器R,全电阻约20Ω

C.电流表A,量程2.5mA,内阻约为30Ω

D.电压表V,量程3V,内阻约3kΩ

E.直流电源E,电动势3V,内阻不计

F.开关S,导线若干

(2)正确接线后,将磁敏电阻置入待测磁场中,测量数据如下表:

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.7l

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=________Ω,结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=________T.

(3)某同学查阅相关资料时看到了图10—26所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻—磁感应强度特性曲线关于纵轴对称,由该图线可以得到什么结论?

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