题目内容
19.(1)线圈中磁场的磁感应强度B′的变化率和偏转电场的场强E;
(2)离子再次运动到边界虚线PQ时轨迹与边界的交点到M的距离.
分析 (1)根据法拉第电磁感应定律求出感应电动势,粒子在两电极之间做加速运动,根据动能定理列出方程,即可求出磁感应强度B′的变化率,进入电场作类平抛运动规律求解E
(2)进入磁场做匀速圆周运动,找出圆心,画出轨迹,运用几何关系求出再次运动到边界虚线与边界交点与M的距离.
解答 ![]()
解:(1)根据法拉第电磁感应定律有:${E}_{感}^{\;}=N\frac{△B′}{△t}S$…①
电极SK之间的电压为:U=E…②
根据动能定理有:$qU=\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}-0$…③
$\frac{△B′}{△t}=\frac{m{v}_{0}^{2}}{2qNS}$
在电场中做类平抛运动
水平方向:$d={v}_{0}^{\;}t$…④
竖直方向:${v}_{y}^{\;}=at$…⑤
根据牛顿第二定律:qE=ma…⑥
由几何关系:$tanθ=\frac{{v}_{y}^{\;}}{{v}_{0}^{\;}}$…⑦
联立④⑤⑥⑦得:$E=\frac{m{v}_{0}^{2}tanθ}{qd}$
(2)粒子进入匀强磁场中做匀速圆周运动,设进入磁场时速度为v,根据洛伦兹力提供向心力有:
$qvB=m\frac{{v}_{\;}^{2}}{R}$
$R=\frac{mv}{qB}$
作出运动轨迹图,运用几何关系,△x=2Rcosθ
速度分解得:$v=\frac{{v}_{0}^{\;}}{cosθ}$
解得:$△x=\frac{2m{v}_{0}^{\;}}{qB}$
答:(1)线圈中磁场的磁感应强度B′的变化$\frac{m{v}_{0}^{2}}{2qNS}$和偏转电场的场强$\frac{m{v}_{0}^{2}tanθ}{qd}$;
(2)离子再次运动到边界虚线PQ时轨迹与边界的交点到M的距$\frac{2m{v}_{0}^{\;}}{qB}$.
点评 本题是带电粒子在电场和磁场中运动的综合题,涉及到的知识点非常多,在电场中加速用动能定理解决,电场中的类平抛运动运用运动的合成与分解的方法,磁场中匀速圆周运动关键是画轨迹,求半径,难度适中.
| A. | 10 N | B. | 3 N | C. | 8N | D. | 12 N |
| A. | 质点运动过程加速度方向不变 | B. | 质点运动过程加速度大小一直减小 | ||
| C. | 质点通过的位移一定大于7m | D. | 质点经过的位移先增大后减小 |
| A. | 两物体在脱离弹簧时速率最大 | |
| B. | 两物体在刚脱离弹簧时速率之比$\frac{{v}_{1}}{{v}_{2}}=\frac{1}{2}$ | |
| C. | 两物体的速率同时达到最大值 | |
| D. | 两物体在弹开后仍然朝原来方向运动 |
| A. | 摆线碰到障碍物前后的摆长之比为4:1 | |
| B. | 摆线碰到障碍物前后的摆长之比为2:1 | |
| C. | 摆线经过最低点时,线速度不变,半径减小,摆线张力变大 | |
| D. | 摆线经过最低点时,角速度变大,半径减小,摆线张力不变 |