13.以沉淀法除去工业级偏钒酸铵(NH4VO3)中硅、磷元素杂质的流程如图1:

(1)碱熔时,下列措施有利于NH3逸出的是ac.
a.升温               b. 加压              c.增大NaOH溶液浓度
(2)滤渣主要成分为Mg3(PO42、MgSiO3,已知Ksp[Mg3(PO42]=6.4×10-26,Ksp(MgSiO3)=2.3×10-5.若滤液中c(PO${\;}_{4}^{3-}$)≤10-6 mol•L-1,则c(Mg2+)至少为4×10-5mol•L-1
(3)由图2可知,加入一定量的MgSO4溶液作沉淀剂.随着温度升高,除磷率下降,其原因是Mg3(PO42溶解度增大、升温促进Mg2+水解生成Mg(OH)2;随着温度升高,除硅率增大,其原因是SiO32-+2H2O$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$H2SiO3↓+2OH-(或者SiO32-+3H2O$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$H4SiO4↓+2OH-)(用离子方程式表示).
(4)沉钒时,反应温度需控制在50℃,在实验室可采取的措施为50℃水浴加热.在此温度和pH=8的最佳条件下,探究NH4Cl的浓度对沉钒率的影响,设计实验步骤(常见试剂任选):取两份10mL一定浓度的滤液A和B,分别加入1mL和 10mL的1mol•L-1NH4Cl溶液,向A中加入约9mL蒸馏水,使两份溶液总体积相等(A或B)中加入约9mL蒸馏水,使两份溶液总体积相等,控制两份溶液温度均为50℃、pH均为8,由专用仪器测定沉钒率.(忽略混合过程中溶液体积的变化)
(5)高纯的偏钒酸铵灼烧可制备新型光电材料V2O5,该反应的化学方程式为2NH4VO3$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$V2O5+2NH3↑+H2O.
 0  152101  152109  152115  152119  152125  152127  152131  152137  152139  152145  152151  152155  152157  152161  152167  152169  152175  152179  152181  152185  152187  152191  152193  152195  152196  152197  152199  152200  152201  152203  152205  152209  152211  152215  152217  152221  152227  152229  152235  152239  152241  152245  152251  152257  152259  152265  152269  152271  152277  152281  152287  152295  203614 

违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com

精英家教网